氮化鈧
| 氮化鈧 | |
|---|---|
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| IUPAC名 Scandium nitride | |
| 別名 | 一氮化鈧 |
| 識別 | |
| CAS號 | 25764-12-9 |
| PubChem | 117629 |
| ChemSpider | 105117 |
| SMILES |
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| 性質 | |
| 化學式 | ScN |
| 摩爾質量 | 58.963 g·mol⁻¹ |
| 密度 | 4.4 g/cm3 |
| 熔點 | 2900 °C（3173 K） |
| 危險性 | |
GHS危險性符號
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| GHS提示詞 | Danger |
| H-術語 | H228 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
氮化鈧是一種無機化合物，化學式為ScN，由Sc3+和N3−構成。它可以由銦-鈧熔體溶解氮氣來製備[1]，並在鎢箔上通過升華和凝華來生長單晶。[2]氮化鈧也是二氧化矽（SiO2）或二氧化鉿（HfO2）底物上半導體的有效柵極。[3]
參考文獻
[編輯]- ^ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi. Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts. Applied Ceramic Technology. 4 August 2016, 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576.
- ^ Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W. Crystal Grown and Properties of Scandium Nitride. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. August 2004, 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c.
- ^ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang. Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2. Japanese Journal of Applied Physics. 13 January 2006, 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83.