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非輻射結合生命期(Non-radiative life time)是半導體中導帶的電子和在電洞非輻射性復合之前,電子可以維持的平均時間。對於需要用輻射性復合來產生光子的光電工程而言,非輻射結合生命期是一項重要的參數。若非輻射結合生命期較輻射結合生命期短很多,此載子的行為比較接近非輻射結合(英語:Non-radiative recombination),因此其內在量子效率較低。
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