套刻精度控制

套刻精度控制 是一個用在半導體製造業中的術語。

矽晶圓到晶片的製作要經歷一系列的階段，每一個階段將一個圖樣以及其所需的材料映射在晶圓上；圖樣就是線路或電晶體在晶圓上的排布。用這種方法將電晶體,導線等元件裝配到晶圓上。 為了最終的設備能夠正常工作，這些單獨的圖樣必須正確對準--例如線路和電晶體等必須對齊。

套刻精度控制，定義了這種圖樣間的對準。 它一直在半導體製造業發揮着重要作用，對於多層級結構,幫助監測層與層之間的對準度。 任何形式的不對齊都可能會導致短路以及斷路，從而影響工廠產量和良品率。

如今,隨着圖樣密度越來越大，以及193nm浸沒式光刻的發展導致的產率上的挑戰，套刻精度控制已越來越重要。這些新技術的發展導致容錯率越來越小。而現有的套刻精度控制方法已經不能滿足精度要求。

套刻精度的控制方法必須同時滿足較高的測量精度和處理穩健度。在45nm工藝中，為了得到更高的產率和質量，使用更小的新型靶材來實現。

廣泛採用的套刻精度控制工具有：KLA-Tencor's ARCHER, 納米CALIPER系列等。