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擴散電流

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擴散電流半導體中因載子(電洞自由電子擴散作用引起的電流。 半導體中的擴散電流可以與由於電場形成的漂移電流同向或者逆向。在一個平衡狀態的PN接面中,空乏層的順向擴散電流和逆向擴散電流平衡,因而淨電流為零。可以用漂移–擴散方程來統一描述擴散電流和漂移電流。[1]

摻雜材料的擴散常數可以通過Haynes–Shockley experiment英語Haynes–Shockley experiment確定。

介紹

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擴散電流與漂移電流

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下面是這兩種電流的對比:

擴散電流 漂移電流
在半導體上沒有外加電場的時候也存在擴散電流。 漂移電流取決於加在PN接面二極體上的電場。
對於電洞和自由電子產生的電流,分別由常數 Dp 和 Dn,以及 +q 和 −q 決定, 但與電容率無關。 取決於電容率。
擴散電流的方向取決於載子濃度的變化,而不是載子濃度本身。 漂移電流的方向取決於外加電場的極性。

載子運動

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擴散電流存在無需在半導體上外加電場。這是因為擴散作用是由載子濃度的變化,而不是載子濃度本身所引起的。載子(電洞和自由電子)從高濃度的地方運動到低濃度的地方,這種擴散運動產生了電流,叫做擴散電流。漂移電流和擴散電流構成了半導體中的總電流。載子濃度的變化形成梯度。由於這個梯度,半導體內產生了電場。

當光照在本徵半導體中心上時,載子在中間產生,並向兩邊擴散。由於電子(綠色)的擴散係數高於電洞(紫色),電子在中心處的堆積比電洞更少。

舉例

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當半導體中的載子分佈處於非平衡態時,擴散就會發生。比如半導體兩端有電勢差的時候,或者半導體一部分有光照產生了載子,造成局部載子濃度增加。如右圖所示,當半導體中間有光照時,中間部分有較高載子濃度,並向兩邊擴散。

參考資料

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  1. ^ McGraw Hill Encyclopaedia of Physics (2nd Edition), C.B. Parker, 1994, ISBN 0-07-051400-3