深能级暂态谱学

深能级暂态谱学（DLTS）是研究半导体中电活性缺陷（称为电荷载流子陷阱）的实验工具。DLTS建立基本的缺陷参数并测量其在材料中的浓度。一些参数被认为是缺陷“指纹”，用于对其进行识别和分析。

DLTS研究了简单电子设备的空间电荷（耗尽）区域中存在的缺陷。最常用的是肖特基二极管或PN接面。在测量过程中，稳态二极管的反向极化电压会受到电压脉冲的干扰。该电压脉冲减小了空间电荷区域中的电场并允许自由载流子半导体块中的杂质从该区域渗透并对该缺陷进行再充电，从而导致其非平衡充电状态。脉冲之后，当电压恢复到其稳态值时，由于热发射过程，缺陷开始发射被俘获的载流子。该技术观察器件空间电荷区的电容，其中缺陷电荷状态的恢复会引起电容瞬态。循环电压脉冲，然后进行缺陷电荷状态恢复，从而允许将不同的信号处理方法应用于缺陷再充电过程分析。

DLTS技术比几乎任何其他半导体诊断技术都具有更高的灵敏度。例如，在硅中，它可以检测10～12个材料主体原子中的一部分浓度的杂质和缺陷。此功能及其设计的技术简单性使其在研究实验室和半导体材料生产工厂中非常受欢迎。