电子束检测
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电子束检测[1][2]（Electrons Beam inspection，简称E-beam inspection、EBI），用于半导体元件的缺陷(defects)检验，以电性缺陷(Electrical defects)为主，形状缺陷(Physical defects)次之。
相较于探针式(Probe)电性量测，电子束检测具有两个显著优势，能在制作电子元件的过程中，快速反应制程问题，(一)即时性。能够线上(in line)检测缺陷状况。(二)预判性。无须制作电极(electrode pad)即可检出。进一步说明，元件的良率及电性表现必须在整体元件制程完成后，才能以固定式探针设备量测得其结果，在分秒必争的半导体产业，电子束检测可以提前多道制程，既可知道元件缺陷状况，这是一个显著的时效优势，使得此技术被广泛的应用在电子产业上[3]。
检测原理[编辑]
其检测方式，是利用电子束扫描待测元件，得到二次电子成像的影像[4] ，根据影像的灰阶值(Gray level)高低，以电脑视觉比对辨识，找出图像中的异常点(abnormal)，视为电性缺陷，例如，在正电位模式下(Positive model)，亮点显示待测元件为短路(short)或漏电(leakage)，暗点则为断路(open)。
其工作原理是利用电子束直射待测元件，大量的电子瞬间累积于元件中，改变了元件的表面电位(surface potentail)，当表面电位大于0 (相对于元件的基板(substrate)电位)，称为正电位模式 (Positive model)，反之，称为负电位模式 (Negative model)。
参考资料[编辑]
- ^ Application of the SEMSpec electron-beam inspection system to in-process defect detection on semiconductor wafers. Microelectronic Engineering. 1996-01-01, 30 (1-4): 567–570. ISSN 0167-9317. doi:10.1016/0167-9317(95)00311-8 （英语）.
- ^ Lei, Ming; Wu, Kevin; Tian, Qing; Gao, Kewen; Chen, Yaqiong; Hu, Haokun; Tomlinson, Derek; Lei, Chris; Zhao, Yan. Detection of metallic buried void by effective density contrast mode 9778. International Society for Optics and Photonics: 97780Q. 2016-04-21 [2018-02-16]. doi:10.1117/12.2219186. （原始内容存档于2020-09-11）.
- ^ Lei, M.; Wu, K.; Tian, Q.; Zhao, Y. Detection and classification of gate to S/D shorts using charge dynamics. 2016 27th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC). May 2016: 294–299 [2018-02-16]. doi:10.1109/ASMC.2016.7491153. （原始内容存档于2018-02-17）.
- ^ 二次電子. 维基百科，自由的百科全书. 2017-04-01 [2018-02-12]. （原始内容存档于2021-11-05） （中文）.
- PROVision™ eBeam Inspection | Applied Materials （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- 电子束微影系统E-Beam，国研院仪科中心
- 瞄准16/14nm检测需求 汉微科明年产能翻三倍 - 热门新闻 - 新电子科技杂志 Micro-electronics （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- 台湾区电机电子工业同业公会 - Taiwan Electrical and Electronic Manufacturers' Association （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- 国立成功大学机构典藏 使用先进电子束缺陷检测设备以加速金氧化半导体制程开发 （页面存档备份，存于互联网档案馆）