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File:Rtd seq v3.gif

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Rtd_seq_v3.gif （453 × 362像素，文件大小：73 KB，MIME类型：image/gif、​循环、​40帧、​10秒）

摘要

描述
English: A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first energy level below source fermi level with gate bias.
日期
来源 Tool:Resonant Tunneling Diode Simulation with NEGF simulator on www.nanoHUB.org. Link: http://nanohub.org/resources/8799
作者 Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck
授权
(二次使用本文件)
VRT Wikimedia

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2010年2月2日 (二) 01:152010年2月2日 (二) 01:15版本的缩略图453 × 362（354 KB）Beatnik8983{{Information |Description={{en|1=A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first

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