舛冈富士雄
| 舛冈富士雄 | |
|---|---|
 | |
| 出生 | 1943年5月8日 日本群马县高崎市 |
| 居住地 | 日本 |
| 国籍 | 日本 |
| 母校 | 东北大学 |
| 知名于 | 发明快闪记忆体 |
| 奖项 | IEEE Morris N. Liebmann纪念奖 (1997) 紫绶褒章 (2007) 文化功劳者 (2013) 瑞宝重光章 (2016) |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 电子学、半导体 |
| 机构 | 东芝 东北大学 Unisantis公司 |
| 博士导师 | 西泽润一 |
| 日语写法 | |
|---|---|
| 日语原文 | 舛岡 富士雄 |
| 假名 | ますおか ふじお |
| 平文式罗马字 | Masuoka Fujio |
舛冈富士雄（日语：舛岡 富士雄／ますおか ふじお Masuoka Fujio ?，1943年5月8日—），日本电子工程学家，日本东北大学名誉教授[1]，快闪记忆体的发明者。紫绶褒章、瑞宝重光章表彰。文化功劳者。
生平
[编辑]舛冈富士雄于1943年在日本群马县高崎市诞生。群马县立高崎高等学校毕业，日本东北大学工学部毕业后进入“半导体先生”西泽润一的研究室。1971年取得工学博士（东北大学）并加入东芝公司，开发SAMOS记忆体。他对非挥发性记忆体的点子有高度兴趣，这是一种在电源关闭后，还能保存资料的记忆体。他在1980年发明NOR型快闪记忆体，1986年发明NAND型快闪记忆体，推动东芝成为世界半导体产业的巨头，彻底改写人类资讯时代的面貌。
舛冈在1994年返回担母校东北大学任教，1996年成为东北大学电気通信研究所教授。2004年起担任Unisantis公司电子首席技术官。[2]继续研究三维构造半导体Surrounding Gate Transistor技术。
专利诉讼
[编辑]在很长一段时间中，东芝公司不承认NOR型快闪记忆体是舛冈富士雄的发明，直到电机电子工程师学会（IEEE）在1997年授予舛冈IEEE Morris N. Liebmann纪念奖后才改口。2006年舛冈起诉东芝，索赔10亿日元，最后达成和解得到8700万日元（合758,000美元）。
荣誉
[编辑]主要论文
[编辑]- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs." Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
- A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. "A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs." Electron Devices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI's." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573-578.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . "Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579-583.
- F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. "A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT's) for ultra high density DRAM's." IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960-971.
相关条目
[编辑]参考
[编辑]- ^ Fulford, Benjamin. Unsung hero. Forbes. 24 June 2002 [2008-03-18]. （原始内容存档于2018-10-28）.
- ^ Unisantis Electronics - Company Profile. [2013-06-16]. （原始内容存档于2007-02-22）.
- ^ IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients. [2008-05-16]. （原始内容存档于2008-10-08）.
外部链接
[编辑]- （英文）Unsung hero （页面存档备份，存于互联网档案馆） (Forbes profile article)
- （日语）UNISANTIS Electronics (Japan) Ltd.
- （日语）インタビュー记事 舛冈富士夫教授“日本発の三次元半导体で历史を创る” （页面存档备份，存于互联网档案馆）
