本頁使用了標題或全文手工轉換

小注入

維基百科,自由的百科全書
前往: 導覽搜尋

小注入英語:low level injection)是形成PN結的一種工作條件。在N型半導體中,當注入半導體材料的非平衡電子(通過光照注入、電注入等方法引入的兩種載流子——電子、空穴總是成對出現)的濃度小於平衡時導帶中電子的濃度時,我們稱這種方法為小注入。對於P型半導體,則需要比較非平衡空穴與平衡時的空穴的濃度。在小注入的情況下,多數載流子的複合率為線性。[1]

參考文獻[編輯]

  1. ^ Jenny Nelson, The Physics of Solar Cells, Imperial College Press, UK, 2007 pp. 266-267