金屬半導體場效應管
金屬半導體場效應管（英語：metal semiconductor field effect transistor, MESFET），簡稱金半場效應管，是一種在結構上與結型場效應管類似，不過它與後者的區別是這種場效應管並沒有使用PN結作為其柵極，而是採用金屬、半導體接觸結，構成肖特基勢壘的方式形成柵極。金屬半導體場效應管通常由化合物半導體構成，例如砷化鎵、磷化銦、碳化硅等，它的速度比由硅製造的結型場效應管或MOSFET更快，但是造價相對更高。金屬半導體場效應管的工作頻率最高可以達到45 GHz左右，[1]在微波頻段的通信、雷達等設備中有着廣泛應用。第一個金屬半導體場效應管在1966年被發明，其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來。[2]在數字電路設計領域，由於數字集成電路的集成度不斷提高，因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS。
參考文獻
[編輯]- ^ Lepkowski, W.; Wilk, S.J.; Thornton, T.J., 45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 μm SOI CMOS Process, SOI Conference, 2009 IEEE International (Foster City, CA), 2009: 1–2 [2013-01-06], ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X, （原始內容存檔於2019-07-01）
- ^ GaAs FET MESFET （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） radio-electronics.com.
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