磷化銦

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磷化銦
别名 Indium(III) phosphide
识别
CAS号 22398-80-7
PubChem 31170
ChemSpider 28914
SMILES
InChI
InChIKey GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式 InP
摩尔质量 145.792 g·mol⁻¹
外观 黑色立方晶體
密度 4.81 g/cm3(固體時)
熔点 1062 °C(1335 K)
溶解性 微溶於[1]
能隙 1.344(300 K,直接帶隙) eV
电子迁移率 5400 cm2/(V·s) (300 K)
熱導率 0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n
D
3.1 (紅外線);
3.55 (632.8 nm)[2]
结构
晶体结构 閃鋅礦結構
晶格常数 a = 5.8687 Å [3]
配位几何 四面體
热力学
ΔfHmo298K -88.7 kJ/mol
So298K 59.8 J/(mol·K)
热容 45.4 J/(mol·K)[4]
危险性
MSDS External MSDS
欧盟编号 未列出
主要危害 有毒,會水解為磷化氢
相关物质
其他阴离子 氮化銦
砷化銦
銻化銦英语Indium antimonide
其他阳离子 磷化鋁
磷化鎵
相关化学品 磷化銦鎵
磷化鋁鎵銦英语Aluminium gallium indium phosphide
砷銻磷化鎵銦英语en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

磷化銦Indium phosphide,InP)是由組成的二元半導體材料,磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同,都是面心立方(闪锌矿)晶體結構

製備[编辑]

磷化銦可由白磷碘化銦在400 °C下反應來製備[5]

用途[编辑]

磷化銦因為電子速率較常見的半導體及砷化鎵都要高,可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接带隙英语direct bandgap,適合作像雷射二極體光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷英语indium gallium arsenide為基礎的光電元件中的磊晶基板。

化學[编辑]

在面心立方(闪锌矿)晶體結構的化合物中,磷化銦有最長壽命的光學声子[6]

參考資料[编辑]

  1. ^ Template:Citation book
  2. ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698. 
  3. ^ Basic Parameters of InP. 
  4. ^ Template:Citation book
  5. ^ Indium Phosphide at HSDB
  6. ^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. 

外部連結[编辑]