磷化銦

磷化銦
別名	Indium(III) phosphide
識別
CAS號	22398-80-7
PubChem	31170
ChemSpider	28914
SMILES	[In]#P;
InChI	1/In.P/rInP/c1-2;
InChIKey	GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性質
化學式	InP
摩爾質量	145.792 g·mol⁻¹
外觀	黑色立方晶體
密度	4.81 g/cm3（固體時）
熔點	1062 °C（1335 K）
溶解性	微溶於酸
能隙	1.344(300 K，直接帶隙) eV
電子遷移率	5400 cm2/(V·s) (300 K)
熱導率	0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n; D	3.1 (紅外線); ; 3.55 (632.8 nm)
結構
晶體結構	閃鋅礦結構
晶格常數	a = 5.8687 Å
配位幾何	四面體
熱力學
ΔfHm⦵298K	-88.7 kJ/mol
S⦵298K	59.8 J/(mol·K)
熱容	45.4 J/(mol·K)
危險性
MSDS	External MSDS
歐盟編號	未列出
主要危害	有毒，會水解為磷化氫
相關物質
其他陰離子	氮化銦; 砷化銦; 銻化銦（英語：Indium antimonide）
其他陽離子	磷化鋁; 磷化鎵
相關化學品	磷化銦鎵; 磷化鋁鎵銦（英語：Aluminium gallium indium phosphide）; 砷銻磷化鎵銦（英語：en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide）
	若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（閃鋅礦）晶體結構。

製備

磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備^[5]。

磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接帶隙（英語：direct bandgap），適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷（英語：indium gallium arsenide）為基礎的光電元件中的磊晶基板。

在面心立方（閃鋅礦）晶體結構的化合物中，磷化銦有最長壽命的光學聲子^[6]。

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^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
^ Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. （原始內容存檔於2015-09-24）.
^ Template:Citation book
^ Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. （原始內容存檔於2016-01-06）.
^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.