柵氧化層

柵氧化層（英語：gate oxide），是用來把CMOS 柵極與下方源極、漏極以及源漏極間導電溝道隔離開來的氧化介質層（如右圖）。通過將溝道上方的矽氧化為二氧化矽，柵氧化層得以形成，其厚度大約為5到200納米，這層物質為絕緣體。柵氧化層上方為導電的柵極材料。柵氧化層充當了介質層，使得柵極能夠維持1到5毫伏每立方米的縱向電場，這個電場可以用來控制下方溝道的導通和關斷。

參考文獻

Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术（原书名：Semiconductor Manufacturing Technology）. 電子工業出版社. 2005. ISBN 7-5053-9493-2.

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