諧振穿隧二極體
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諧振穿隧二極體(Resonant tunneling diode, RTD)是利用電子在某些能階能夠諧振穿隧而導通的二極體。其電流電壓特性常顯示出負阻特性。
簡介
[編輯]所有的隧道二極體(Tunnel diode)都是利用量子穿隧效應工作的。它們大多具有負阻的電流電壓特性,用於高速電子元件,因為穿隧薄層的時間很短,比如振盪器。最高工作頻率可達THz.[1]
諧振穿隧二極體可以使用多種材料製造(比如III-V族,IV族或II-IV族半導體)和多種不同諧振穿隧結構(比如重摻雜PN接面,雙勢壘,三勢壘,勢阱)。
其中一種由兩層薄層中間的單個勢阱構成,稱為雙勢壘結構。載子在勢阱中間只能有分立的電子能階。當諧振穿隧二極體兩邊加偏壓的時候,隨着第一能階接近費米能階,電流逐漸增加。當第一能階低於並遠離費米能階的時候,電流開始下降,出現負阻特性。當第二能階下降接近費米能階的時候,電流再次增加。該結果如下圖所示,該圖使用NanoHUB得到。
該結構可以使用分子束磊晶生長,常見材料組合有GaAs/AlAs和InAlAs/InGaAs。
工作原理
[編輯]取決於材料和有多少個勢壘,束縛能階的數量可能有一個或多個,當束縛能階較多時,下述過程可能會重複。
正電阻區
[編輯]在低偏壓時,當第一束縛能階(能量最低的那一個)靠近費米能階時,通過該束縛能階的電流增加 ,從而總電流增加。
負電阻區
[編輯]隨着偏壓進一步增加,第一束縛能階已經低於費米能階。偏壓繼續增加時該能階對應的能量已接近射極(源極)的禁帶,因此該能階傳導的電流減小,總電流減小。
第二正電阻區
[編輯]隨着偏壓進一步增加,第二束縛能階也靠近費米能階,其傳導的電流也開始增加,導致總電流再次增加。
參考資料
[編輯]- ^ Saeedkia, D. Handbook of Terahertz Technology for Imaging, Sensing and Communications. Elsevier. 2013: 429 [2015-06-04]. ISBN 0857096494. (原始內容存檔於2014-07-06).