有效質量

Bulk Si,Ge,GaAs和InAs用緊束縛模型計算得到的能帶結構. 有效質量大小：Si 〉GaAs 〉 Ge 〉 InAs

有效質量（Effective mass），是用來方便引入經典力學的解決方法牛頓第二定律的一種近似。它近似認為電子受到原子核的周期性勢場（這個勢場和晶格周期相同）以及其他電子勢場綜合作用的結果。在數學處理上採用在能帶極值點處用泰勒展開，這樣略去二階以上項，就可以很好刻畫。另外，有效質量與能帶形狀、位置有關。包括狀態密度有效質量，和電導有效質量等。有效質量是一個很重要的概念，它把晶體中電子准經典運動的加速度與外力直接聯繫了起來。

帶結構的二階近似為：

$E(\mathbf {k} )=E_{0}+{\frac {\hbar ^{2}\mathbf {k} ^{2}}{2m^{*}}}$

其中m*為有效質量

有效質量可以為負值，這是與慣性質量不同的。