缓冲氧化物刻蚀剂

缓冲氧化物刻蚀剂( BOE )，也称为缓冲氟化氢 (BHF 或 Buffered HF )，是一种用在微小尺度加工的湿刻蚀剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅( ${\ce {SiO2}}$ ) 或氮化硅( ${\ce {Si3N4}}$ )薄膜。是一种作为缓冲溶液的混合物，像是氟化铵( ${\ce {NH4F}}$ ) 和氢氟酸(HF)。因浓氢氟酸（通常是 49% 的氢氟酸溶液）蚀刻二氧化硅的速度太快，无法实现良好的程序控制，且会剥离光刻图案中使用的光刻胶故添加缓冲氧化物蚀刻通常可以于控制蚀刻的反应速率。 ^[1]

一些氧化物在氟化氢溶液中因还原反应会产生不溶物。因此，通常将盐酸添加到缓冲氟化氢溶液中以溶解这些不物以提升蚀刻的品质。 ^[2]

常见的缓冲氧化物蚀刻溶液包含体积比为 6:1 的 40% NH ₄ F 水溶液与 49% HF 水溶液。该溶液将在 25 摄氏度下以每秒约2 纳米的速度蚀刻热生长的氧化物。 ^[3]可以增加温度以提高蚀刻速率。在蚀刻过程中连续搅拌溶液有助于获得更均匀的溶液，通过从表面去除蚀刻材料可以更均匀地蚀刻。

参考[编辑]

^ Wolf, Stanley; Tauber, Richard. Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. 1986: 532–533. ISBN 978-0-9616721-3-3.
^ Iliescua, Ciprian; Jing, Ji; Tay, Francis; Miao, Jianmin; Sun, Tietun. Characterization of masking layers for deep wet etching of glass in an improved HF/HCl solution. J. Surf. Coat. Aug 2005, 198 (1–3): 314. doi:10.1016/j.surfcoat.2004.10.094.
^ Wolf, Stanley; Tauber, Richard. Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. 1986: 532–533. ISBN 978-0-9616721-3-3. Wolf, Stanley; Tauber, Richard (1986). Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. pp. 532–533. ISBN 978-0-9616721-3-3.

[Wolf-1] Wolf, Stanley; Tauber, Richard. Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. 1986: 532–533. ISBN 978-0-9616721-3-3.

[Iliescua2005-2] Iliescua, Ciprian; Jing, Ji; Tay, Francis; Miao, Jianmin; Sun, Tietun. Characterization of masking layers for deep wet etching of glass in an improved HF/HCl solution. J. Surf. Coat. Aug 2005, 198 (1–3): 314. doi:10.1016/j.surfcoat.2004.10.094.

[Wolf2-3] Wolf, Stanley; Tauber, Richard. Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. 1986: 532–533. ISBN 978-0-9616721-3-3. Wolf, Stanley; Tauber, Richard (1986). Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology. pp. 532–533. ISBN 978-0-9616721-3-3.

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