可关断晶闸管
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可关断晶闸管(英文:Gate Turn-Off thyristor,缩写:GTO)是一种派生自普通单向晶闸管的大功率全控型半导体器件,它既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性,又具备了自关断能力。
构造
[编辑]可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样,由PNPN四层半导体构成,外部有三个电极,即门极G、阳极A和阴极K。
普通单向晶闸管只构成一个单元器件,而可关断晶闸管则是一种多元的功率集成器件,它的内部由数十个甚至数百个共阳极的小型GTO单元并联在一起。[1]
工作原理
[编辑]普通单向晶闸管在门极信号触发之后,撤去信号也能维持导通,欲使其关断,必须切断电源或施以反向电压强行关断,这就需要增加换向电路,不仅使控制电路的体积、质量增加,而且会降低效率,产生波形失真和噪声;而可关断晶闸管克服了这些缺陷,既可通过门极信号导通,又可通过门极信号关断,其借助外部的缓冲电路来导通和关断电流。[1]
导通
[编辑]导通由门极和阴极端子之间的“正电流”脉冲完成,由于门极-阴极的组合结构类似于PN结,因此两极之间存在相对较小的电压。导通期间的GTO具有限制电流上升的最大dI/dt额定值,保证其在达到全电流之前达到开启状态,如果超过该额定值,距离栅极触点最近的GTO区域将过热,并因过电流而熔化。dI/dt的速率通常通过饱和电抗器(导通缓冲器)控制。
GTO的导通dI/dt比普通晶闸管的约束要小,然而GTO中的导通现象不可靠,即使导通后也必须保持较小的门极正电流以提高导通的可靠性。[2]
关断
[编辑]关断由门极和阴极端子之间的“负电压”脉冲完成,一些正向电流(占比约1/3至1/5)用于感应出阴极-门极电压,这反过来会使正向电流下降,引致GTO关断。关断期间必须限制GTO的正向电压(通常约为正向阻断电压额定值的20%)直到电流消失,如果关断时电压上升过快,高电压和大电流将集中在GTO的一小部分上,导致其炸裂,因此需要在其周围增加大量缓冲电路进行限制。[2]
GTO的关断时间较长,在正向电流下降后,存在一个长尾时间,期间剩余电流继续流动,直到管内所有的剩余电荷均被导出为止;但即便如此,GTO的关断速度仍可比普通晶闸管快约十倍。[3]
性能参数
[编辑]- 最大可关断阳极电流 IATO :即GTO的铭牌电流,它与门极关断负电流波形、阳极电压上升率、工作频率及电路参数变化等因素相关。
- 关断增益 βoff :定义为最大可关断电流与门极负电流最大值之比,表示GTO的关断能力。当门极负电流上升率一定时,关断增益与可关断阳极电流成正相关;当可关断阳极电流一定时,其则与门极负电流上升率成负相关。采用适当的门极电路,很容易获得上升较快、幅值足够的门极负电流,因此在实际应用中不必追求过高的关断增益。
- 阳极尖峰电压UP :指在GTO的关断过程中,正向电流下降时在下降曲线尾部出现的极值电压,它等于GTO缓冲电路中的杂散电感与阳极电流在下降时间内变化率的乘积。当GTO的阳极电流增加时,尖峰电压几乎线性增加,增加到一定值之后就会导致GTO损坏。为了减小尖峰电压,必须尽量缩短缓冲电路的引线,减小杂散电感,并采用快恢复二极管及无感电容。[1]
用途
[编辑]![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/75/Tokyu1000VVVF.jpg/320px-Tokyu1000VVVF.jpg)
可关断晶闸管具有工作频率高(1 kHz 左右)、使用方便的优点,广泛应用于逆变器、电网动态无功补偿和大功率直流斩波调速等领域;其曾作为斩波器和VVVF牵引逆变器中的主要开关元件,用于控制供铁路和地铁列车使用的牵引电动机(该应用目前正逐渐被绝缘栅双极晶体管取代)。[4]