肖克利半导体实验室
肖克利半导体实验室（英语：Shockley Semiconductor Laboratory），是贝克曼仪器公司的一个部门， 是第一个为经营制造半导体装置所设立的机构，后来发展演变为众所周知的硅谷。1957年时，8位顶尖的科学家离开了实验室，成立飞兆半导体公司，造成实验室无法弥补的损失。实验室在1960年时被克利维特公司买下，在1968年被卖到ITT公司后正式关闭。离开公司的工程师们依旧留在这个地区从事同样的工作；很快的，在旧金山湾区建立起完整的工业。
肖克利回到加州
[编辑]威廉·肖克利在加州理工学院完成攻读他的学士学位后，移居到东部在麻省理工学院取得了博士学位 。1936年毕业后立刻开始在贝尔实验室工作。从1930年代到1940年代，他从事电子装置工作并致力于半导体材料。这促使了1947年他与工作伙伴：约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿，还有其他人，创造出第一个晶体管。从1950年代早期，一连串的事件使得肖克利对于贝尔实验室的管理方式逐渐不适应，特别是在晶体管的专利上，贝尔实验室将巴丁及布喇顿的名字列在他的前面，让他感觉受到忽视。然而，众多因素之一是，与他一起工作的人，提出对肖克利不近人情管理方式的建议，这个原因使他常常在公司内部晋升上遭到略过。这些因素严重到令他在1953年时，取得短暂的工作假期并且回到加州理工学院担任客座教授。
在这里肖克利遇见了在1934年发明pH测量计的阿诺德·奥维尔·贝克曼并建立友谊。在此期间，肖克利确信了硅的自然特性终将取代锗而成为晶体管结构中的主要材料。德州仪器已在近期开始生产硅晶体管(于1954年)，然而肖克利认为他可以做一个更好的。贝克曼同意肖克利在他的公司，贝克曼仪器公司，的保护伞下，在这个地区继续努力旧有的工作。可是，肖克利的母亲再次并且常常生病，于是他决定住在离他母亲位于帕罗奥图房子的附近。
1956年在靠近山景城附近，肖克利半导体实验室开办小型商店事业。初期他尝试从贝尔实验室雇用与他同类型的工作者，但是没有人想离开东岸，而且还是最高科技的研究中心。取而代之的是，他组织了一个年轻科学家与工程师的团队，并且订定关于设计可以用来生产单晶硅棒的新型长晶系统的计划。于此同时，硅的高熔点特性赋予了艰钜的前途。
肖克利二极管
[编辑]肖克利在持续研究晶体管时，被使用四层装置（均为晶体管）的灵感所启发，而这个装置可能会有不需要进一步控制输入端就可以锁定进入“开”或“开”状态的新颖特质。 类似的电路需要若干个晶体管，一般是三个，所以对于大型的开关网络，新的二极管可以大幅降低复杂性。[1][2]这个四层二极管就是现在所称的肖克利二极管。
肖克利确信这个新型装置会成为如晶体管般的重要，所以对于整个计划保密，即使在公司内部也不例外。这导致了逐渐增加的偏执行为；一个著名的事件是，他被一个秘书断指是用来伤害他的计谋所说服，于是下达命令对公司内的所有人使用测谎机。这与肖克利优柔寡断的计划管理方式互相结合；有时候他会觉得将基本的晶体管立刻导入生产是最重要的，而不注重肖克利二极管计划是因为要制作“完美”的生产系统。
八叛逆
[编辑]最终一群年轻的员工越级肖克利，向阿诺德·贝克曼要求有人能取代肖克利的管理角色。贝克曼起初显露倾向于同意他们的要求，但是随着时间的推移，一系列的决策都显示贝克曼是站在肖克利同一边，使得最终无法得到改变是非常清楚的。厌倦之余，这个小组转而寻求谢尔曼·费尔柴尔德主掌的仙童摄影器材的支持，这是间拥有军方合约的美国东部公司。1957年，飞兆半导体创始于制做硅晶体管的计划上。肖克利曾表示他们是“八叛逆”，分别是朱利亚斯·布兰克、维克多·格里尼克、金·赫尔尼、尤金·克莱尔、杰·拉斯特、高登·摩尔、罗伯特·诺伊斯和谢尔顿·罗伯茨等8人。[3][4]
这8人后来离开快捷去创办他们自己的公司，之中有英特尔、超微半导体，还有其他超过20年的期间，65家不同的公司被第一代或者第二代创建于硅谷中，多可追溯到肖克利半导体的团队。[5]
肖克利不曾利用管理来取得四层二极管在商业上的成功，尽管他制订出许多技术细节并且于1960年代全面生产。集成电路的出现允许了需要用数个晶体管来制作的开关，实现整合在单一"芯片"上，因此，终止了肖克利的设计中元件数量的优势。[5]不过，公司里真的还有一些其他成功的计划，包含第一个太阳能电池的坚实理论研究，开发出具有前景并将基础硅太阳能电池的效能上限提升到30%的肖克利-奎塞尔极限。[6]
相关条目
[编辑]参考
[编辑]- 文献
- Lécuyer, C. Making Silicon Valley: innovation and the growth of high tech, 1930–1970. MIT Press. 2006 [2014-10-11]. ISBN 9780262122818. （原始内容存档于2021-02-02）.
- 引用
- ^ Kurt Hubner, "The Four-Layer Diode in the Cradle of Silicon Valley" 互联网档案馆的存档，存档日期2007-02-19., Electrochemical Society Proceedings, Volume 98-1
- ^ "Historic Transistor Photo Gallery Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes". [2013-06-18]. （原始内容存档于2018-10-11）.
- ^ Gerald W. Brock. The second information revolution. Harvard University Press. 2003: 88 [2013-06-18]. ISBN 978-0-674-01178-6. （原始内容存档于2012-11-12）.
- ^ David Plotz. The Genius Factory: The Curious History of the Nobel Prize Sperm Bank. Random House Digital. 2006: 90 [2013-06-18]. ISBN 978-0-8129-7052-4. （原始内容存档于2013-02-16）.
- ^ 5.0 5.1 Lécuyer 2006.
- ^ William Shockley and Hans J. Queisser, "Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells" Archive.is的存档，存档日期2013-02-23, Journal of Applied Physics, Volume 32 (March 1961), pp. 510-519; doi:10.1063/1.1736034
外部链接
[编辑]- （英文）Interview with Adolf Goetzberger （页面存档备份，存于互联网档案馆） a Shockley alumnus hired after mass resignations from Shockley Semiconductor.