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PNP
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NPN
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雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，又稱三極體）根據不同的摻雜方式，在同一硅晶片上，製造出三個摻雜區域，形成兩個 P-N 接面。
以 NPN 電晶體為例：在雙載子接面電晶體裡，雖然基極內的電洞較多，是多數載子。但是電流的傳遞，主要卻是透過基極裡的少數載子（即電子）來完成的，也因此 BJT 被稱做少數載子元件（minority-carrier devices）。
BJT 於1947年12月在貝爾電話實驗室，在威廉·肖克利的指揮下，由約翰·巴丁和沃爾特·豪澤·布喇頓共同發明。
