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乙酰丙酮鎵

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乙酰丙酮鎵
IUPAC名
(Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]gallanyloxypent-3-en-2-one
別名 Gallium acetylacetonate
識別
CAS號 14405-43-7  checkY
PubChem 16717626
性質
化學式 GaC15H21O6
外觀 白色固體
密度 1.42 g/cm3
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

乙酰丙酮鎵是一種配位化合物,化學式為Ga(C5H7O2)3,或者簡寫為Ga(acac)3。這種鎵的配合物用於含鎵材料的研究。乙酰丙酮鎵分子有D3對稱性,和其它八面體三乙酰丙酮鹽同晶。[1]

應用

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乙酰丙酮鎵和臭氧作為前體,用原子層外延英語atomic layer epitaxy法(ALE)可以製得氧化鎵薄膜。[2]Ga(acac)3也能用於低溫生長高純度氮化鎵納米線納米針[3][4]

參考文獻

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  1. ^ Dymock, K.; Palenik, Gus J. "Tris(acetylacetonato)gallium(III)" Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry (1974), volume 30, 1364-6.doi:10.1107/S0567740874004833
  2. ^ "Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy". [2018-03-11]. (原始內容存檔於2018-06-04). 
  3. ^ "Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires". [2018-03-11]. (原始內容存檔於2021-09-24). 
  4. ^ "Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor". [2018-03-11]. (原始內容存檔於2018-06-08).