崩潰電壓

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崩潰電壓,是使某一絕緣介質在一段時間內成為導體所需加入的電壓的最低值。當加於某一絕緣介質電壓足夠高時,這時該絕緣介質便會發生電擊穿,使電流可以通過。

絕緣介質的崩潰電壓[編輯]

一股突發的電流可以永久地轉變固態絕緣體中的分子結構,從而於物質中產生一道較易導電的路徑。而一種絕緣體的崩潰電壓並不是絕對數值,而是通過統計得出的約數。因此,人們經常會取一個比崩潰電壓低的值來確保絕緣體被擊穿的機率在安全範圍之內。[1]

崩潰電壓有兩種量度方法,分別是交流電的崩潰電壓和衝擊崩潰電壓。交流電會採用家用交流電的頻率(多數為50Hz或60Hz)。衝擊崩潰電壓是模仿絕緣被雷電擊中時的情況,波幅會在1.2微秒內達至90%,在50微秒後會降至50%。[2]此外,ASTM為崩潰電壓的試驗提供兩種技術標準:ASTM D1816和ASTM D3300。[3]

在標準條件下,氣體為絕緣性非常高的物料,需要非常高的電壓才可擊穿(如閃電)。氣體的崩潰電壓由帕邢定律決定。而局部真空可降低崩潰電壓:[4][5][6]

其中直流電的崩潰電壓。是取決於周邊空氣的常數數值,代表周圍空氣的壓強是電極的距離。二次電子發射英語Secondary emission係數[7]

此特性可應用於微處理器之中,但亦能造成電器的短路[8]

二極體的崩潰電壓[編輯]

二極體的電流-電壓圖

二極體的崩潰電壓是指二極體逆向導電的最小逆向電壓。逆向電壓可以擊穿二極體,但如電流不大,逆向導電是不會對二極體造成傷害的。事實上,稽納二極體就是利用擊穿效應穏定電壓。

另見[編輯]

參考[編輯]

  1. ^ Relationship between Electrode Surface Roughness and Impulse Breakdown Voltage in Vacuum Gap of Cu and Cu-Cr Electrodes, Shinji Sato and Kenichi Koyama, Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R & D Center, 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki-City, Hyogo 661-8661, Japan
  2. ^ Emelyanov, A.A., Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., 1989, no. 4, p. 103.
  3. ^ Kalyatskii, I.I., Kassirov, G.M., and Smirnov, G.V., Prib. Tekh. Eksp., 1974, no. 4, p. 84.
  4. ^ G. Cuttone, C. Marchetta, L. Torrisi, G. Della Mea, A. Quaranta, V. Rigato and S. Zandolin, Surface Treatment of HV Electrodes for Superconducting Cyclotron Beam Extraction, IEEE. Trans. DEI, Vol. 4, pp. 218<223, 1997.
  5. ^ H. Moscicka-Grzesiak, H. Gruszka and M. Stroinski,『『Influence of Electrode Curvature on Predischarge Phenomena and Electric Strength at 50 Hz of a Vacuum
  6. ^ R. V. Latham, High Voltage Vacuum Insulation: Basic concepts and technological practice, Academic Press, London, 1995.
  7. ^ Yemelyanov, A.A., Kalyatskiy, I.I., Kassirov, G.M., and Smirnov, G.V., Abstracts of Papers, Proc. VII ISDEIV, Novosibirsk, 1976, p. 130.
  8. ^ Stefanov, L.S., Tekhnika vysokikh napryazhenii (High-Voltage Engineering), Leningrad: Energiya, 1967.