反应离子刻蚀

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反应离子刻蚀(英文:Reactive-Ion Etching,或简写为RIE)是一种半导体生产加工工艺,它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料,来达到刻蚀的目的。气体在低压(真空)环境下由电磁场产生,等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。

设备[编辑]

RIE系统的典型的设备(平行板式)一般包括一个圆柱形真空室,真空室底部放置用来放晶片盘子。盘子与室体的其他部分绝缘。气体由小口注入真空室上部,由底部排出进入真空泵。气体的种类和多少取决于蚀刻的程序。比如,六氟化硫经常用来蚀刻。通过调节气体流速以及排气孔,气压一般被保持在几Torr)至几百托, 其他RIE系统包括感应耦合等离子体RIE(inductively coupled plasma 或者简称ICP RIE)。在这种系统中,气体由射频(RF)供能的磁场所产生。等离子体的浓度可达非常高,但是蚀刻会变得更加各向同性。 一个平行板式和感应耦合等离子体式所组合而成的RIE也是可以实现的。这一系统中,ICP用来产生高浓度等离子体来加快蚀刻速率,另一单独加在晶片(硅片)上的射频(RF)偏压用来产生定向电场,以达到各向异性的效果。