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氮化鎵

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氮化鎵
IUPAC名
Gallium nitride
识别
CAS号 25617-97-4  checkY
PubChem 117559
ChemSpider 105057
SMILES
 
  • [Ga]#N
InChI
 
  • 1/Ga.N/rGaN/c1-2
InChIKey JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI
RTECS LW9640000
性质
化学式 GaN
摩尔质量 83.73 g/mol g·mol⁻¹
外观 黃色粉末
密度 6.15 g/cm3
熔点 >2500°C[1]
溶解性 會和水反應
能隙 3.4 eV(300 K, direct) eV
电子迁移率 440 cm2/(V·s,300 K)
熱導率 2.3 W/(cm·K,300 K)[2]
折光度n
D
2.429
结构
晶体结构 纖鋅礦
空间群 C6v4-P63mc
晶格常数 a = 3.186 Å, c = 5.186 Å [3]
配位几何 正四面體
危险性
欧盟编号 未列出
闪点 不可燃
相关物质
其他阴离子 磷化鎵
砷化鎵
銻化鎵
其他阳离子 氮化硼
氮化鋁
氮化銦
相关化学品 砷化鋁鎵
砷化銦鎵
磷鉮化鎵
氮化鋁鎵
氮化銦鎵
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

氮化鎵GaN、Gallium nitride)是的化合物,是一種III族V族直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體,可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405 nm)雷射。

如同其他III族元素氮化物,氮化镓对电离辐射的敏感性较低,这使得它适合用于人造卫星太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益,因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性[4]。相比砷化镓(GaAs)晶体管,氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行,因此它们是理想的微波频率的功率放大器。

2020年起,氮化鎵功率半導體開始大量用於3C產品的充電器,與傳統碳化矽相比,轉換效率高、耗能較小,可支援快速充電且體積更小易攜帶[5]

相關條目

參考資料

  1. ^ T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 2004, 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878. 
  2. ^ Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf页面存档备份,存于互联网档案馆).
  3. ^ Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
  4. ^ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken. Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress (PDF). GOMAC Tech Conference. March 2011 [2016-09-14]. (原始内容存档 (PDF)于2013-11-07). 
  5. ^ iPhone 12不送充電器 為什麼因此讓台積做出破天荒的決策?. 天下雜誌. 2020-12-14. 

外部链接