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RDRAM

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Direct Rambus DRAM 或稱 DRDRAM(有時也稱Rambus DRAMRDRAM)是Rambus公司設計製造的一種同步DRAM

實際應用[编辑]

個人電腦[编辑]

最初支援RDRAM的電腦主機板是在1999年登場。這些產品與PC-800 RDRAM相容,以400MHz頻率工作並具有1600MB/s的傳輸速度,使用184針的RIMM插座。

資料在時脈訊號的上升(Positive Edge Trigger,PET)與下降(Negative Edge Trigger,NET)皆傳輸資料(雙向數據)。由於銷售需要,命名方面為時脈頻率的二倍(避免與 DDR 記憶體命名方式重複),400MHz規格的Rumbus被命名為PC800,使用64bit的168針DIMM插座並提供1066MB/s的傳輸速度。這比以前的 PC-133 SDRAM速度大幅提高(PC-133工作於133MHz)。

安裝了散熱片的 RDRAM 記憶體模組

除此之外,如果主機板使用雙通道架構的記憶體子系統,則需要將所有記憶體管道同時升級。16位元的模組提供1條記憶體管道,32位元則提供2條。因此,在接受16位元模組的雙管道主機板上,需要成對安裝RIMM。而相容32位元模組的雙管道主機板,則可以逐條安裝RIMM。


模組規格[编辑]

規格命名 匯流排寬度 通道 時脈 傳輸速度
PC600 16Bit 單通道 RIMM 300 MHz 1200 MB/s
PC700 16Bit 單通道 RIMM 355 MHz 1420 MB/s
PC800 16Bit 單通道 RIMM 400 MHz 1600 MB/s
PC1066 (RIMM 2100) 16Bit 單通道 RIMM 533 MHz 2133 MB/s
PC1200 (RIMM 2400) 16Bit 單通道 RIMM 600 MHz 2400 MB/s
RIMM 3200 32Bit 雙通道 RIMM 400 MHz 3200 MB/s
RIMM 4200 32Bit 雙通道 RIMM 533 MHz 4200 MB/s
RIMM 4800 32Bit 雙通道 RIMM 600 MHz 4800 MB/s
RIMM 6400 32Bit 雙通道 RIMM 800 MHz 6400 MB/s

電視遊戲主機[编辑]

RDRAM18-NUS
在任天堂64上的RDRAM記憶體

Rambus的RDRAM最初在1996年的任天堂電視遊戲主機Nintendo 64」(N64)上使用。N64使用4MB 9Bit匯流排,工作於500MHz的RDRAM,提供了500MB/s的傳輸速度。受惠於RDRAM簡單的設計,N64得以確保較大的記憶體傳輸速度。而受惠於RDRAM狹窄的匯流排寬度,主機板的電路設計師得以使用單純的設計方式降低成本。然而,在隨機存取方面的延遲較高的缺點為人所詬病。N64為RDRAM模組使用了一套被動散熱系統用來冷卻[1]

SONYPlayStation 2上使用 RDRAM。PS2 採用 32MB 的 RDRAM 主記憶體,具備雙通道的架構而達到了3200MB/s的傳輸速度。

PlayStation 3使用了 RDRAM 的後繼產品XDR DRAM ,採用256MB,具有8倍於前者的傳輸速度[1](與 DDR 比較),400MHz 工作時脈,64位元匯流排,實現了3.2GHz的速度,204.8Gbit/s(25.6GB/s)的高速資料傳輸速率[2]

顯示卡[编辑]

Cirrus Logic公司在Laguna顯示晶片家族中的兩個產品使用RDRA。分別是僅有2D的5462和帶有3D加速的2D晶片5464。

該晶片不僅利用RDRAM的高傳輸速度,更提供了成本方面的優點。此晶片在CreativeのGraphics Blaster MA3xx系列等使用。

性能[编辑]

與現代的其他記憶體規格相比較,Rambus由於增加了若干等待時間,以及在發熱和製造上的複雜,導致成本較高。RDRAM也被批評印模尺寸太大,16M位需要百分之10-20,64M需要約百分之5的介面,因此需要罰鍰。[2]

PC-800 RDRAM工作在45納秒的等待時間,這是當時同與之競爭的DRAM技術相比較高的等待時間。RDRAM的記憶體晶片比SDRAM晶片發出更大的熱量,所以所有的RIMM皆需要散熱片。RDRAM每片記憶體晶片皆內建了控制器、與北橋晶片上配置単一的記憶體控制器的SDRAM相比製造上大幅複雜。RDRAM由於較高的製造成本和授權費,與PC-133 SDRAM相比價格達到了2-3倍。在2000年登場的PC-2100 DDR SDRAM工作於133MHz時鐘頻率,使用184針DIMM插座的64位匯流排提供了2100MB/s的性能。

複數RIMM在同一個記憶體管道安裝的場合,對性能的影響比SDRAM的設計要高,與SDRAM的母模式途經1-2個晶片相比,RDRAM在較遠的記憶體模組上晶片必須要經過近乎與記憶體控制器物理配置相當的所有記憶體晶片。


最普通的Rambus記憶體控制器的設計,是將記憶體模組成對安裝做為前提。剩下未使用的記憶體插座必須安裝CRIMM。追加的CRIMM模組並不會增加記憶體的容量,只是為了不使主機板上的信號發生反射而傳達的相對於終端抵抗的信號。右下角的圖像是CRIMM模組。

伴隨Intel 840Pentium III)、Intel 850Pentium 4), Intel 860Pentium 4 Xeon晶片組的登場,Intel增加了對增至32位而實現雙倍傳輸速度的雙管道PC-800 RDRAM的支援。隨後,i850E晶片組導入了PC-1066 RDRAM,雙管道時的合計傳輸速度擴大到了4200MB/s。2002年,Intel發佈了E7205 Granitebay晶片組。導入了雙管道 DDR 記憶體,同與之競爭的RDRAM相比,可以在更低的等待時間下,提供4200MB/s的合計傳輸速度。

RDRAM為了達到800MHz的速度,與擁有64位匯流排的現代SDRAM DIMM不同,記憶體模組只可以工作在16位匯流排下。此外,Intel 820登場時的RDRAM模組,所有產品都無法工作在800MHz,而只能工作在較慢的時鐘頻率下。


基準測試[编辑]

1998年實施的基準測試中,大部分的應用程式在RDRAM下工作低速。RDRAM使用UMA比SDRAM產品相比僅僅是高速,Intel 820並不是低端產品,更沒有開發使用RIMM的低端製品。因此,這點對於最終用戶來說沒有意義[3][失效連結]


1999年,使用Intel 840, Intel 820, Intel 440BX的基準測試中,由於使用Rambus晶片組而獲得性能提高的,除了工作站用途之外,與440BX晶片組和PC-133 SDRAM相比,價錢的大幅提高並不正常。[4]

後來在2002年,單管道DDR SDRAM模組和SiS648組合時,實際的應用程序性能與雙管道1066MHz RDRAM和Intel 850E的架構相抗衡。[5]。 此外,更即將有可使用雙管道DDR400 SDRAM模組的晶片組登場。


PC市場上的RDRAM[编辑]

1996年11月,Rambus 與Intel簽訂了開發與授權協議。[3] 在與DDR SDRAM比較中認識了RDRAM的優越性後,Intel對於Wintel開發社群發表了自公司微處理器僅會支援Rambus記憶體介面的聲明,[4]Intel獲取了Rambus公司以每股10美元100万股股票的購買權。

1998年,Intel為了加速Direct RDRAM的導入,計劃了對Micron Technology進行5億美元的資本投資。[5]作為額外的投資,還有1999年支付給Samsung的1億美元等。


作為移行的戰略,Intel計畫在將來的Intel 82x晶片組上使用Memory Transfer Hub (MTH)以支援PC-133 SDRAM DIMM。[6]2000年,由於MTH在同時交換時,發生了不明原因的停止工作,突發重新啟動的電氣噪音,Intel召回了搭載MTH的Intel 820主機板。[7]從此,Intel 820主機板沒有再搭載過MTH。

2000年,Intel將零售的Pentium 4 CPU與兩支RIMM配套發售,援助RDRAM。[8]然而,Intel在翌年的2001年起逐漸停止了對Rambus的支援。[9]

2003年,Intel發佈了Intel 865Intel 875晶片組,作為取代Intel 850的高端晶片組產品。此外,未來的記憶體發展計劃(roadmap)中並未包含Rambus。[10]

幾乎沒有DRAM生產廠商取得了RDRAM的生產許可證,而取得了技術許可證的公司就連僅僅生產滿足市場需要的RIMM也失敗了,在記憶體價格高企的2002年RIMM也設定了較SDRAM DIMM高的價格。[11]

相關條目[编辑]

外部連結[编辑]

注释[编辑]