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DDR SDRAM

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1張有184針的DDR SDRAM

双倍数据率同步動態隨機存取記憶體英语:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱DDR SDRAM)為具有雙倍資料傳輸率英语Double data rateSDRAM,其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍,由於速度增加,其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。

JEDEC为DDR存储器设立了速度规範[1],并分为了以下两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。

規格[编辑]

SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料,它是在时钟上升期進行資料传输;而DDR则是一個时钟周期内可传输两次資料,也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次資料。

芯片和模块[编辑]

標準名稱 I/O 匯流排時脈
(MHz)
週期
(ns)
記憶體時脈
(MHz)
數據速率
(MT/s)
傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率
(MB/s)
DDR-200 100 10 100 200 並列傳輸 PC-1600 1600
DDR-266 133 7.5 133 266 並列傳輸 PC-2100 2100
DDR-333 166 6 166 333 並列傳輸 PC-2700 2700
DDR-400 200 5 200 400 並列傳輸 PC-3200 3200

注意:上面列出的數據都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的數據率不一定是JEDEC規範,往往是製造商自行最佳化,使用更嚴格的公差或overvolted晶片。

DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異,設計不同的時鐘頻率,例如,PC-1600被設計運行在100 MHz,至於PC-2100被設計運行在133 MHz。

DDR SDRAM 的模塊用於桌上型電腦,被稱為DIMMs,有184隻引腳(而不是168針SDRAM,或240針腳的DDR2 SDRAM),並可以從不同notches數目來辨別(DDR SDRAM,有一個,SDRAM,SDRAM DIMMs的有兩個)。筆記本電腦上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200隻引腳,引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似,如果不能確定正確的匹配,必須小心插入。

記憶晶片[编辑]

  • DDR-200:DDR-SDRAM 記憶晶片在 100MHz 下運行
  • DDR-266:DDR-SDRAM 記憶晶片在 133MHz 下運行
  • DDR-333:DDR-SDRAM 記憶晶片在 166MHz 下運行
  • DDR-400:DDR-SDRAM 記憶晶片在 200MHz 下運行(JEDEC制定的DDR最高規格)
  • DDR-500:DDR-SDRAM 記憶晶片在 250MHz 下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
  • DDR-600:DDR-SDRAM 記憶晶片在 300MHz 下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
  • DDR-700:DDR-SDRAM 記憶晶片在 350MHz 下運行(非JEDEC制定的DDR規格)

芯片模塊[编辑]

為了要增加內存的容量和帶寬,芯片會利用模塊結合。例如,有關 DIMMs 的64位元bus需要8個 8位的芯片並行處理。與常見的位址線(address lines)的多個芯片被稱為memory rank。這個術語被引入,是要避免與芯片內部row和bank的混亂。

  • PC-1600記憶體{模塊}指工作在 100MHz 下的DDR-200內存芯片,其擁有 1.600GB/s 的頻寬
  • PC-2100記憶體模塊指工作在 133MHz 下的DDR-266內存芯片,其擁有 2.133GB/s 的頻寬
  • PC-2700記憶體模塊指工作在 166MHz 下的DDR-333內存芯片,其擁有 2.667GB/s 的頻寬
  • PC-3200記憶體模塊指工作在 200MHz 下的DDR-400內存芯片,其擁有 3.200GB/s 的頻寬

高密度比低密度[编辑]

PC3200是使用帶寬 3200 MB / s的DDR - 400芯片設計,在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200內存的上升和下降時鐘邊沿的數據傳輸,其有效的時鐘速率為 400 MHz。

替換[编辑]

DDR SDRAM
Standard
Bus clock
(MHz)
Internal rate
(MHz)
Prefetch
(min burst)
Transfer Rate
(MT/s)
Voltage DIMM
pins
SO-DIMM
pins
MicroDIMM
pins
DDR 100–200  100–200 2n 200–400  2.5/2.6 184 200 172
DDR2 200–533  100–266 4n 400–1066 1.8 240 200 214
DDR3 400–1066 100–266 8n 800–2133 1.5 240 204 214
DDR4 800–1200 200–300 8n 1600–2400 1.2 288 260 214

(DDR1)已被DDR2 SDRAM取代,其中有一些修改,以允許更高的時脈頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準,提供更高的性能和新功能。

DDR 預取緩衝器(prefetch buffer)深度為2位元,而DDR2採用4位元。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR,但整體性能並沒有提升,主要是由於DDR2高延遲(high latency)。直到2004年DDR2才有明顯的提升。

MDDR[编辑]

MDDR是Mobile DDR的縮寫,在一些行動電子設備中使用,像是使用移動電話、手持設備、數字音頻播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的刷新選項(advanced refresh options)技術,MDDR可以實現更高的電源效率。

公式[编辑]

利用下列公式,就可以計算出DDR SDRAM時脈。

DDR I/II記憶體運作時脈:實際時脈*2。 (由於兩筆資料同時傳輸,200MHz記憶體的時脈會以400MHz運作。)

記憶體頻寬=記憶體速度*8 Byte

標準公式:記憶體除頻係數=時脈/200→*速算法:外頻*(除頻頻率/同步頻率) (使用此公式將會導致4%的誤差)

注釋[编辑]

外部链接[编辑]

參见[编辑]