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磁阻式隨機存取記憶體

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磁性随机存储器的结构

磁阻式隨機存取記憶體Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的通用型記憶體英语Universal memory(Universal memory)[1]

它應用巨磁阻效应為其工作原理。

参阅[编辑]

参考资料[编辑]

  1. ^ Akerman, J. APPLIED PHYSICS: Toward a Universal Memory. Science. 2005, 308 (5721): 508–510. doi:10.1126/science.1110549. PMID 15845842.