磁阻式隨機存取記憶體

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简化的磁性随机存储器的结构

磁阻式隨機存取記憶體Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的通用型記憶體英语Universal memory(Universal memory)[1]。它目前由Everspin英语Everspin Technologies公司生产,其他公司,包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划[2][3]

描述[编辑]

与传统的RAM芯片技术不同,MRAM中的数据不作为电荷或电流流动存储,而是由磁存储元件存储。 这些元件由两个铁磁性板形成,每个铁磁板可以保持由薄的绝缘层分开的磁化。两个板之一是设置为特定极性的永磁体; 另一个板的磁化可以改变以匹配外部磁场的磁化来存储存储器。 这种配置被称为磁性隧道结英语Tunnel magnetoresistance,是MRAM位的最简单的结构。存储设备由这样的“单元”的网格构建。

读取的最简单的方法是通过测量一个单元的电阻来实现。(通常)通过为相关联的晶体管电流(通常)选择特定的一个单元,其将电流从电源线通过单元切换到地。由于隧道磁阻英语Tunnel magnetoresistance,单元的电阻由于两个板中磁化的相对取向而变化。通过测量所得到的电流,可以确定任何特定单元内的电阻,并从此确定可写板的磁化极性。通常,如果两个板具有相同的磁化对准(低电阻状态),则将其视为“1”,而如果对准反平行,则电阻将更高(高电阻状态),这意味着“0”。

它應用巨磁阻效应為其工作原理。

历史[编辑]

以下大部分内容均来自mram-info网站:

应用[编辑]

MRAM的建议应用包括以下设备:

参阅[编辑]

参考资料[编辑]

  1. ^ Akerman, J. APPLIED PHYSICS: Toward a Universal Memory. Science. 2005, 308 (5721): 508–510. PMID 15845842. doi:10.1126/science.1110549. 
  2. ^ http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330467.  缺少或|title=为空 (帮助)
  3. ^ http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330197.  缺少或|title=为空 (帮助)
  4. ^ L Berger. Emission of spin waves by a magnetic multilayer traversed by a current. Physical Review B. October 1996, 54: 9353–9358. 
  5. ^ Current-driven excitation of magnetic multilayers. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. October 1996, 159 (1-2): L1–L7. doi:10.1016/0304-8853(96)00062-5. 
  6. ^ N.P. Vasil'eva, Magnetic Random Access Memory Devices, Automation and Remote Control, October 2003, 64 (9): 1369–1385 

外部链接[编辑]