格羅方德

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格羅方德
GLOBALFOUNDRIES Inc.
公司類型 子公司
成立 2009年3月2日
代表人物 Sanjay Jha(CEO)
總部 美國加利福尼亚州圣克拉拉
产业 半導體晶圓廠
產品 晶圓
營業額 44億美元(2014年)[1][2]
員工人數 18,000 [3]
母公司 阿布達比創投英语Advanced Technology Investment Company(ATIC,新進技術投資公司)
网站 www.globalfoundries.com
德國總廠

格羅方德半導體股份有限公司(GLOBALFOUNDRIES,舊譯為全球晶圓公司[4])是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉半導體晶圓代工公司,目前為世界第二大專業晶圓代工廠,僅次於台積電(TSMC)。

公司的首席执行官为Sanjay Jha。[5]

历史[编辑]

格罗方德成立於2009年3月2日,是從美國AMD公司製造部門分拆出。母公司分別為AMD及位於阿布達比杜拜Advanced Technology Investment Company英语新進技術投資公司(ATIC)[6],其中ATIC佔公司股權65.8%,兩公司均享有均等投票權。

2010年1月13日,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)收購了新加坡特許半導體英语Chartered Semiconductor Manufacturing[6]

2011年3月6日,ATIC以4.25億美元收購了AMD擁有的格羅方德半導體股份餘下的8.8%的股份,成為一家獨立的晶片製造商,使得ATIC成為格羅方德的唯一持股者[7]

2013年,位于美国纽约州的八厂投入运营。AMD對該廠擁有14%的股份。[8][9]

2014年10月20日,IBM正式宣布邀請格羅方德收購其晶片製造業務,並將在未來3年支付格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)現金15億美元。[6][10]

2016年5月31日,宣布將與重慶官方合資設立12吋晶圓廠,由重慶市官方提供土地與中國中航航空電子系統的廠房,而格羅方德則負責技術升級,將現有的8吋晶圓廠升級為12吋晶圓[11]

2017年2月10日,宣布在中國四川省成都高新區建造12吋晶圓生產項目,投資規模預計超過100億美元,將成為中國西南部首條12吋晶圓生產線。[12]

2017年6月12日,於成都新建晶圓廠工程獲成都市政府 1 億美元投資。而該座晶圓廠預計將採用 22 奈米 FDX的製程,將於 2018 年 3 月前完成建廠工程。[13]

2017年8月15日,宣布採用高效能 14 奈米 FinFET 製程技術的 FX-14 特定應用積體電路(ASIC)整合設計系統,進入先進晶圓封裝的領域。[14]

制造厂区[编辑]

公司除會生產AMD產品外,也會為其他公司,如安謀國際科技(ARM)、博通(Broadcom)、英伟达(NVIDIA)、高通(Qualcomm)、意法半導體(STMicroelectronics)、德州儀器(TI)等代工晶圓製造。現時投產中的晶圓廠,12吋的位於德國德累斯頓的一廠(Fab 1,即原AMD的Fab 36和Fab 38),位於美國紐約州中馬爾他(Malta)的八廠(Fab 8)和East Fishkill的十厂(Fab10)(原为IBM的Building 323),以及位于新加坡的七厂(Fab 7)。八吋廠的二厂三厂五厂(Fab 2、3、5)位于新加坡,九厂(Fab9)位于美国佛蒙特州埃塞克斯章克申英语Essex Junction

300毫米晶圓工廠[编辑]

Fab 1[编辑]

Fab 1,位於德國德勒斯登,佔地364,512平方公尺,是由原AMD最早的晶圓廠Fab 36和Fab 38合併而來,格羅方德成立以後這裡就改名為Fab 1 - Module 1,後來也將就近的原AMD Fab 30也合併至Fab 1 - Module 2廠區,每個廠區300毫米晶圓的產能可達每月可產出25,000塊以上。[9][15]

Module 1 廠區主要以40奈米、28奈米BULK製程工藝和22奈米FDSOI製程工藝為主;Module 2 廠區原本以製造200毫米晶圓為主,後來也轉為製造300毫米晶圓,以45奈米及更老的製程為主。2016年9月格羅方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI製程工藝已經流片成功。[16]預計2019年上半年可接收訂單進行量產。

Fab 7[编辑]

Fab 7,位於新加坡兀蘭,收購新加坡的特許半導體英语Chartered Semiconductor而來。本廠以130奈米至40奈米製程、BULK和SOI工藝為主,每月的晶圓產能可達50,000塊/300毫米晶圓(或112,500塊/200毫米晶圓)。[9]

Fab 8[编辑]

Fab 8,位於美國紐約馬耳他薩拉托加的盧瑟森林科技園區英语Luther Forest Technology Campus,自2009年6月開始興建,2012年投入生產,是格羅方德自AMD分離以後興建的廠區裡面最大也是最新進的,主要製造300毫米晶圓,以14奈米製程節點、FinFET工藝為主。[9][17]每月的晶圓產量可達60,000塊/300毫米晶圓(或135,000塊/200毫米晶圓),以28奈米製程和14奈米製程為主,其中14奈米製程的技術是與三星電子旗下的晶圓廠合作。2016年9月,格羅方德宣布為該廠投入數十億美元開發 7 奈米製程,採用FinFET、極紫光刻工藝,並預計2018年下半年可投產。[18][19]

Fab 10[编辑]

Fab 10,位於美國紐約東菲什基爾英语East Fishkill, New York[20],前IBM的Building 323,由收購IBM微電子事業部而來,以22奈米節點工藝為主。

Fab 11[编辑]

Fab 11,位於中國大陸四川成都,正在建造中。本廠將以180奈米/130奈米、22奈米FDX工藝為主,預計2018年可投入生產,產能預計每月20,000塊,遠期計劃達到85,000塊/月。[21]

200毫米晶圓工廠[编辑]

除了Fab 9,其餘的均為收購特許半導體而來。

Fab 2[编辑]

Fab 2,位於新加坡兀蘭。本廠以600至350奈米製程為主,代工產品以汽車電子IC、大功率高電壓IC以及類比-數位混合信號IC為主。

Fab 3/5[编辑]

Fab 3/5,位於新加坡兀蘭。本廠以350奈米至180奈米製程為主,代工產品主要是小型顯示面板驅動器的高電壓IC、行動型電源管理模組。

Fab 3E[编辑]

Fab 3E,位於新加坡淡滨尼。本廠主要製造180奈米製程的晶圓,代工產品以汽車電子IC、高電壓電源管理IC和帶有非易失性記憶體的嵌入式混合信號IC為主。

Fab 6[编辑]

Fab 6,位於新加坡兀蘭。本廠主要製造180奈米製程的晶圓,代工產品以高整合度CMOS元件和射頻CMOS(RFCMOS)產品為主,像是Wi-Fi、藍牙控制晶片。

Fab 9[编辑]

Fab 9,[20]位於美國費蒙特伯靈頓埃塞克斯章克申英语Essex Junction,由收購IBM微電子事業部而來。本廠以90奈米節點工藝為主,7奈米製程工藝也在本廠開發部署;本廠有一個自有、開放第三方客戶代工業務的掩模工廠英语mask shop,也是佛蒙特州最大的私人雇主。

資料來源[编辑]

  1. ^ Worldwide Semiconductor Foundry Market Grew 16.1 Percent in 2014, According to Final Results by Gartner. [6 August 2015]. 
  2. ^ TSMC, GlobalFoundries and Samsung Lead Chip Foundry Rankings in 2012 - X-bit labs. [6 August 2015]. 
  3. ^ GLOBALFOUNDRIES Fast Facts. [6 August 2015]. 
  4. ^ GlboalFoundries的中文名稱正式註冊為格羅方德
  5. ^ GlobalFoundries Hires Mobile-Industry Veteran Sanjay Jha as CEO. bloomberg.com. 7 January 2014. 
  6. ^ 6.0 6.1 6.2 [1],2014-10-21
  7. ^ ATIC buys AMD's remaining share in GLOBALFOUNDRIES
  8. ^ [2],2013-12-17
  9. ^ 9.0 9.1 9.2 9.3 Manufacturing. [6 August 2015]. 
  10. ^ [3]亞洲華爾街日報華爾街日報,2014-10-20
  11. ^ 半導體大廠競插旗中國 格羅方德與重慶合資12吋廠. 中時電子報. 2016-06-01. 
  12. ^ 格羅方德 成都打造晶圓廠. 中時電子報. 2017-02-11. 
  13. ^ 格羅方德於成都新建晶圓廠工程獲成都市政府 1 億美元投資. TechNews. 2017-06-12. 
  14. ^ 繼台積電之後,格羅方德宣布成功進入先進晶圓封裝領域. TechNews. 2017-08-15. 
  15. ^ http://globalfoundries.com/about_us/locations/dresden. [6 August 2015].  缺少或|title=为空 (帮助)
  16. ^ Kampman, Jeff. GlobalFoundries adds a 12-nm node to its FD-SOI roadmap. TechReport. 8 September 2016 [16 September 2016]. 
  17. ^ GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA 互联网档案馆存檔,存档日期10 March 2009.
  18. ^ Shilov, Anton. GlobalFoundaries Updates Roadmap. Anandtech. 3 October 2016 [3 October 2016]. 
  19. ^ Kampman, Jeff. GlobalFoundries skips the 10-nm node on the way to 7-nm FinFETs. TechReport. 15 September 2016 [16 September 2016]. 
  20. ^ 20.0 20.1 Jim Doyle. [6 August 2015]. 
  21. ^ globalfoundries-to-expand-capacities-build-a-fab-in-china (新闻稿). 11 February 2017. 

外部連結[编辑]