动态随机存取存储器

维基百科,自由的百科全书
跳转至: 导航搜索
存储设备

动态随机存取存储器Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体記憶體,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元(bit)是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象,導致电位差不足而使記憶消失,因此除非電容經常周期性地充電,否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」記憶體。相對來說,「靜態」記憶體(SRAM)只要存入資料後,縱使不刷新也不會遺失記憶。

與SRAM相比,DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理,相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有存取速度较慢,耗电量较大的缺點。

與大部分的隨機存取記憶體(RAM)一樣,由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失,因此它屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)設備。

工作原理[编辑]

DRAM读操作举例,在简单的4x4矩阵上

DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵,左图所示是一个4×4的矩阵,现代的DRAM通常长和宽都在几千个。

相關條目[编辑]