硅穿孔
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硅穿孔（英语：Through Silicon Via, 常简写为TSV，也称做硅通孔）是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。
TSV 是一种让3D IC封装遵循摩尔定律（Moore's Law）的互连技术，TSV可堆叠多片芯片，其设计概念来自于印刷电路板（PCB），在芯片钻出小洞（制程又可分为先钻孔及后钻孔两种，Via First, Via Last），从底部填充入金属，硅晶圆上以蚀刻或激光方式钻孔（via），再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满。此一技术能够以更低的成本有效提高系统的整合度与效能。
TSV技术在三维封装和三维集成电路中具有重要应用，对于跨入3D IC相当具有优势。2006年4月，韩国三星表示已成功将TSV技术应用在“晶圆级堆叠封装”（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash堆叠的技术堆叠八个2Gb NAND Flash芯片，以激光钻孔打造出TSV制程，高度是0.56mm。2007年4月三星公布其以WSP技术应用在DRAM的产品，共堆叠了4颗512Mb的DRAM芯片。到目前为止，芯片商采用硅穿孔技术的商业行为有限，仅有CMOS（CIS）影像感测器、MEMS等少数几种。