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锑化铟

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锑化铟
识别
CAS号 1312-41-0  checkY
PubChem 3468413
ChemSpider 2709929
SMILES
 
  • [In]#[Sb]
UN编号 1549
EINECS 215-192-3
RTECS NL1105000
性质
化学式 InSb
摩尔质量 236.58 g·mol−1
外观 暗灰色晶体
密度 5.775 g⋅cm−3
熔点 527 °C(800 K)
能隙 0.17 eV eV
电子迁移率 7.7 mC⋅s⋅g−1 (at 27 °C)
热导率 180 mW⋅K−1⋅cm−1 (at 27 °C)
折光度n
D
4.0
结构
晶体结构 立方晶系
空间群 T2d-F-43m
配位几何 四面体
危险性
GHS危险性符号
《全球化学品统一分类和标签制度》(简称“GHS”)中有害物质的标签图案 《全球化学品统一分类和标签制度》(简称“GHS”)中对环境有害物质的标签图案[1]
GHS提示词 WARNING
H-术语 H302, H332, H411
P-术语 P273
相关物质
其他阴离子 氮化铟
磷化铟
砷化铟
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

锑化铟(InSb)是一种由(In)和(Sb)元素组成的金属间化合物,可由两种单质高温反应制得。锑化铟是一种半导体材料,广泛应用于红外探测器英语Infrared detector制备[2]红外线导引导弹制导红外天文学等领域。锑化铟于1951年首次被发现[3]

参考文献

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  1. ^ Indium Antimonde. American Elements英语American Elements. [June 20, 2019]. (原始内容存档于2021-05-07). 
  2. ^ 《半导体材料技术》. 张玉龙等主编 杭州:浙江科学技术出版社 2010 第150页. (原始内容存档于2021-04-18). 
  3. ^ Liu, T. S.; Peretti, E. A. Trans AIME, vol. 191, p. 791 (1951).