锑化铟
外观
锑化铟 | |
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识别 | |
CAS号 | 1312-41-0 |
PubChem | 3468413 |
ChemSpider | 2709929 |
SMILES |
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UN编号 | 1549 |
EINECS | 215-192-3 |
RTECS | NL1105000 |
性质 | |
化学式 | InSb |
摩尔质量 | 236.58 g·mol−1 |
外观 | 暗灰色晶体 |
密度 | 5.775 g⋅cm−3 |
熔点 | 527 °C(800 K) |
能隙 | 0.17 eV eV |
电子迁移率 | 7.7 mC⋅s⋅g−1 (at 27 °C) |
热导率 | 180 mW⋅K−1⋅cm−1 (at 27 °C) |
折光度n D |
4.0 |
结构 | |
晶体结构 | 立方晶系 |
空间群 | T2d-F-43m |
配位几何 | 四面体 |
危险性 | |
GHS危险性符号 [1] | |
GHS提示词 | WARNING |
H-术语 | H302, H332, H411 |
P-术语 | P273 |
相关物质 | |
其他阴离子 | 氮化铟 磷化铟 砷化铟 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
锑化铟(InSb)是一种由铟(In)和锑(Sb)元素组成的金属间化合物,可由铟和锑两种单质高温反应制得。锑化铟是一种半导体材料,广泛应用于红外探测器制备[2]、红外线导引导弹制导和红外天文学等领域。锑化铟于1951年首次被发现[3]。
参考文献
[编辑]- ^ Indium Antimonde. American Elements. [June 20, 2019]. (原始内容存档于2021-05-07).
- ^ 《半导体材料技术》. 张玉龙等主编 杭州:浙江科学技术出版社 2010 第150页. (原始内容存档于2021-04-18).
- ^ Liu, T. S.; Peretti, E. A. Trans AIME, vol. 191, p. 791 (1951).