SO-DIMM
小外形双列直插式内存模块（英语：small outline dual in-line memory module），通常简称为SO-DIMM或SODIMM，它是一种采用集成电路的存储器。SO-DIMM类似DIMM，但它的体积更小，大约是常规DIMM的一半。
SO-DIMM经常用于空间有限的系统，例如笔记本电脑、基于Mini-ITX主板的小体积个人电脑，高端可升级办公打印机，以及诸如路由器、NAS设备等网络硬件。
外观识别
[编辑]大多数SO-DIMM的类型可直观的通过不同的凹槽缺口识别，它们用于不同的平台：[1]
- 100针SO-DIMM有两个缺口。[2]
- 144针SO-DIMM在中心附近有一个缺口。[3]
- 200针SO-DIMM在更靠近一侧处有一个缺口。[4]此缺口的确切位置有差异（请见下文）。
- 204针SO-DIMM（DDR3）有比200针SO-DIMM的靠近中心的缺口更靠近中心的缺口。[5]
- 260针SO-DIMM（DDR4），宽度69.6 mm（2.74英寸） ，高度30 mm（1.2英寸），这使它比DDR3 SO-DIMM高2 mm（0.079英寸），在144针后有一个缺口。[6]
- 260针SO-DIMM（UniDIMM），宽度69.6 mm（2.74英寸），高度30 mm（1.2英寸） or 20 mm（0.79英寸），有一个与DDR3 SO-DIMM不同的缺口。[7][8]
200针SO-DIMM的变种
[编辑]200针SO-DIMM可以为DDR或DDR2类型。这两种情况下，缺口位于板卡长度的五分之一处（20针+缺口80针），但在DDR2中该缺口位于靠近板卡中心的位置。这两种类型的内存不能互换。不同的缺口位置是为防止较差安装，同时帮助直观地视觉识别200针SO-DIMM模块。
这种差异设计是为避免将电气不兼容的不同DDR世代内存和控制器联接。DDR SO-DIMM工作电压为2.5 V，而DDR2 SO-DIMM则为1.8 V。[9]
一般特征
[编辑]200和204针SO-DIMM长度为67.6 mm（2.66英寸） 宽度为31.75 mm（1.250英寸），最大总深度为3.8 mm（0.15英寸）。[10]
SO-DIMM在功率和电压额定值上或多或少等同DIMM，并且尽管存储器模块的尺寸较小，SO-DIMM技术并不会比DIMM得到更低的性能。例如，DDR3 SO-DIMM提供533 MHz（1066 MT/s，PC3-8500）的时钟速度，CAS深度为7，并且有单个模块4 GB的高容量。[11]
DDR2 SO-DIMM内存模块通常有200 MHz至400 MHz（PC2-6400）的时钟速度。[来源请求]204针SO-DIMM也可以包含DDR3 SDRAM，规格如PC3-6400、PC3-8500、PC3-10600、PC3-14900和PC3-17000。[12] 260针UniDIMM可能包含DDR3或DDR4 SDRAM，这取决于其配置。部分SO-DIMM也提供ECC功能；无缓冲的ECC SO-DIMMs称为SO-CDIMM。[13]
参见
[编辑]- 双列直插封装（DIP）
- 内存控制器
- 内存结构 – 内存模块的逻辑配置（通道、Rank、Bank等）
- RDRAM
- 单列直插式内存模块（SIMM）
- 单列直插式封装（SIP）
- Zig-zag in-line package（ZIP）
参考资料
[编辑]- ^ Are DDR, DDR2 and DDR3 SO-DIMM memory modules interchangeable?. [2015-06-26].[失效链接]
- ^ RAMCHECK 100-Pin DDR Adapter, a tool for testing and identifying JEDEC-compliant 100-pin DDR SO-DIMM modules. 2013 [2015-06-26]. （原始内容存档于2015-08-06）.
- ^ Small-outline SDRAM module (MT16LSDF3264(L)H 256 MB and MT16LSDF6464(L)H 512 MB) Datasheet (PDF). Micron Technology. 2006-05-03 [2015-06-26]. （原始内容 (PDF)存档于2015-06-26）.
- ^ DDR DIMM & SODIMM Modules (184-pin DDR DIMM, 100-pin DDR DIMM, and 200-pin DDR SO-DIMM modules) (PDF). 2011 [2015-06-26]. （原始内容存档 (PDF)于2015-09-24）.
- ^ NT2GC64B(C)H4B0PS / NT4GC64B(C)88B0(1)NS / NT8GC64B(C)8HB0NS PC3(L)-10600 / PC3(L)-12800 Unbuffered DDR3 SO-DIMM. December 2012 [2015-06-26]. （原始内容 (PDF)存档于2015-06-26）.
- ^ DDR4 SDRAM SO-DIMM (MTA18ASF1G72HZ, 8 GB) Datasheet (PDF). Micron Technology. 2014-09-10 [2015-06-26]. （原始内容 (PDF)存档于2014-11-29）.
- ^ DDR4: The Right Memory for Your Next Server and High-End Desktop System (PDF). Intel. 2014-09-16 [2015-06-26]. （原始内容 (PDF)存档于2014-12-17）.
- ^ How Intel Plans to Transition Between DDR3 and DDR4 for the Mainstream. 2014-09-14 [2015-06-26]. （原始内容存档于2015-06-26）.
- ^ DRAM – Can I mix DDR, DDR2 and DDR3 modules-my PC?. [2015-06-26]. （原始内容存档于2015-06-26）.
- ^ micron.com - 200 Pin, PC2700 DDR SDRAM Unbuffered SO–DIMM REFERENCE DESIGN SPECIFICATION （页面存档备份，存于互联网档案馆） page 26
- ^ Corsair Memory — 4GB DDR3 SODIMM Memory (CM3X4GSD1066). corsair.com. [1 October 2015]. （原始内容存档于2016-11-09）.
- ^ 204-Pin DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMM Design Specification. [2017-02-12]. （原始内容存档于2016-11-06）.
- ^ Define-SO-CDIMM. RAMpedia. [2014-08-24]. （原始内容存档于2015-02-13）.
外部链接
[编辑]- How to Install PC Memory Guides（页面存档备份，存于互联网档案馆）
- Ruggedizing RAM for industrial systems（页面存档备份，存于互联网档案馆） (XR-DIMM form factor)