此條目介紹的是克爾非線性光學效應。關於同樣名字的磁場光學現象,請見「
磁光克爾效應」。
約翰·克爾
克爾效應(Kerr effect),也稱「二次電光效應」,是物質因響應外電場的作用而改變其折射率的一種效應。克爾效應與泡克耳斯效應不同,前者感應出的折射率改變與外電場平方成正比,後者則與外電場成線性關係;前者可以在液體或非晶物質出現,後者只出現於沒有對稱中心的晶體物質。克爾效應或多或少會出現在每一種物質,但在某些液體會比較顯著。這效應最先由蘇格蘭科學家約翰·克爾(John Kerr)在1878年發現。[1]
克爾效應又分為克爾電光效應與克爾光學效應。
克爾電光效應又稱為「直流克爾效應」。假設施加緩慢外電場於物質樣品,即在連結樣品兩端的電極之間施加電壓,在這影響下,樣品會變為具有雙折射性質,對於光波的偏振平面平行與垂直於外電場的兩種方向,會出現不同的折射率,其差值
為
;
其中,
是光波的波長,
是「克爾常數」,
是電場。
假設光波入射於樣品的方向垂直於外電場,則折射率的不同會使得這樣品的物理性質類似波片(waveplate)。假若置放物質於兩塊正交偏振片之間(請參閱條目偏光儀(polariscope)),當設定外電場為零之時,不會有任何光波透射過這兩塊正交偏振片;但當設定外電場為某最佳值之時,幾乎全部光波會透射過這兩塊正交偏振片。
某些極性液體,例如一硝基甲苯(C7H7NO2)、硝基苯(C6H5NO2),會展示出很大的克爾常數。「克爾盒」指的是裝滿了這種液體的小盒。因為克爾效應對於電場變化的響應速度很快,克爾盒時常被用來調制光波,頻率可高達10 GHz,可以用來製作電控光開關,在高速攝影、激光通訊方面很有用處,是未來光聯網的重要技術。[2];由於克爾效應相當微弱,典型的克爾盒需要電壓高達30 kV才能達到完全透明。泡克耳斯效應的工作電壓比這低很多。克爾盒的另一大缺點是製作材料硝基苯具有毒性。克爾盒光調制器也可以採用某些透明晶體為克爾效應材料,雖然他們的克爾常數較小。
在有些缺乏反演對稱性的介質裏,克爾效應通常會被更強勁的泡克耳斯效應屏蔽;但是,克爾效應仍舊存在,時常可以獨立地被探測到,不論泡克耳斯效應的貢獻有多強勁。[3]
克爾光學效應又稱為「交流克爾效應」。在克爾光學效應裏,光波本身的電場造成了折射率的改變,這改變與光波的局域輻照度有關。折射率的變化促成了自聚焦(self-focusing)、自調相(self-phase modulation)、調制不穩定性(modulational instability)的非線性光學效應,是克爾透鏡鎖模技術(Kerr-lens modelocking)的基礎機制。只有當光束非常強勁時,這效應才會變得很顯著,例如,激光所產生的激光束。
在磁光克爾效應裏,從磁性物質反射出來的光波,其偏振平面會稍微偏轉。這效應與法拉第效應類似,在法拉第效應裏,透射光的偏振平面會稍微偏轉。
在介質裏,電極化向量
與電場
的關係為[4]:12-13, 77-80
,
其中,
是電常數,
是介質的第n階電極化率張量。
這是個張量公式。採用直角坐標系,x坐標、y坐標、z坐標分別以下標1、2、3代表,這公式表示為
。
在這公式的右手邊,第一項是介質的線式響應,所產生的電極化向量與電場成正比;第二項給出了泡克耳斯效應;第三項給出了直流克爾效應。對於展示出不可忽略的克爾效應的物質,第三項很重要。經過一番運算,第三項以方程式表示為[4]:77
。
在這公式裏,物理量右邊圓括號內的角頻率表示這物理量必須具有的角頻率數值,否則,整個乘積為零。第3階電極化率張量
有34=81個分量,假設介質為結構各向同性,[註 1]則由於對稱性,只會有21 個非零分量,分為4種數值:
、
、
、
![{\displaystyle \chi _{4}=\chi _{jkkj}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/bbfd35d499d75415350ab86717f9a5d64777e1e3)
其中,下標
、
、
的數值可以是1、2或3,但是
。
設想外電場
的方向為
:
。
光波的的傳播方向為
,光波的電場為
。
兩個電場合併為
。
則所有涉及到z-坐標的分量都可以被忽略,
將這電場代入第三項,可以得到電極化向量的第三項部分,其x-分量、y-分量分別為[4]:80
、
。
由於直流電場的作用,朝著x、y兩個方向的電極化向量造成了折射率不同,因此產生雙折射現象:
;
其中,
、
是偏振光的偏振平面與直流電場分別平行、垂直時傳播於介質的折射率,
是當沒有直流電場時傳播於介質的折射率。
因此,可以將介質的克爾常數定義為
;
其中,
是光波傳播於自由空間的波長。
在交流克爾效應裏,傳播於介質的光波,假若輻照度夠強勁,就可以自己提供調製電場,不需要施加外電場。對於這案例,假設偏振光的電場為
;
其中,
是光波的波幅。
將這公式代入偏振方程式,只取線性項與第三項,可以得到[4]:81-82
。
這像是個線性項和額外的非線性項總和在一起的電極化率:
。
由於折射率為
;
其中,
是線性折射率。
由於
,應用泰勒展開,可以得到與輻射度有關的折射率:
;
其中,
是二次非線性折射率,
是光波的輻照度。
對於這光波傳播於介質的案例,折射率的變化與光波的輻照度成正比。
大多數介質的
相當微小,一般玻璃的
大約為10-20 m2 W-1。[4]:83因此,光波的輻射度至少必須為1 GW cm-2才能使得折射率通過交流克爾效應產生顯著變化。
與輻射度有關的折射率是一種非常重要的三次過程,又分為空間調製與時間調製兩種過程。空間調製過程可以改變光束的傳播。時間調製可以改變光波的波幅與相位結構。
藉著空間調製折射率,傳播於介質的強勁光束會改變這介質的折射率,這改變的圖樣模仿光束的橫向輻照度圖樣。例如,高斯光束會造成高斯折射率剖面,類似漸變折射率透鏡(gradient-index lens)所產生的效應;越接近光束的中間區域,折射率越高;越接近邊緣區域,折射率越低。由於介質折射率被改變,使得光束在介質內自動聚焦,這現象稱為自聚焦(self-focus)。
由於光束的自聚焦,峰值輻照度會增加,因此又更加自聚焦。假若這效應贏過了對抗的衍射,則自聚焦會成為主導物理機制,光束會變得越來越狹窄,這時,假若操作不當,則會造成光束塌縮災難,從而損毀介質。
自聚焦與衍射彼此對抗抵銷,這意味著,對於每一種介質,存在一個閾值,只要輻照度不超過這閾值,就不會發生損毀。但是,另一種稱為「小尺寸自聚焦」的現象,會造成局域熱點與光束絲狀形成。為了避免這類問題出現於激光系統,通常,會先使用空間過濾器將光束波前的粗燥部分加以平滑。[4]:83-84
- ^ 注意到兩種不同的各向同性,一種是晶體的光學各向同性,另一種是氣體、液體、非晶體固體的結構各向同性