半導體存儲器
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半導體存儲器(semiconductor memory)是一種用於數字數據存儲的數字電路半導體器件,例如電腦記憶體。數據會存儲在硅集成電路存儲芯片上的金屬氧化物半導體(MOS)存儲單元內[1][2][3]。目前有許多不同的類型的半導體技術。兩種常見的隨機存取存儲器(RAM)中其中一個是靜態RAM(SRAM),它在每個存儲單元使用多個MOS晶體管,另一個是動態RAM(DRAM),每個單元使用一個MOS晶體管和一個MOS電容。非易失性存儲器(如EPROM、EEPROM和閃存)使用浮柵存儲單元,每個單元由一個浮柵MOS 晶體管組成。大多數類型的半導體存儲器都具有隨機訪問的特性。 [4]
參考文獻
[編輯]- ^ The MOS Memory Market (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼學會. 1997 [16 October 2019]. (原始內容 (PDF)存檔於2011-06-26).
- ^ MOS Memory Market Trends (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼學會. 1998 [16 October 2019]. (原始內容 (PDF)存檔於2019-10-16).
- ^ Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. Springer. 2017: 314–5 [2022-03-29]. ISBN 9783319475974. (原始內容存檔於2022-03-29).
- ^ Lin, Wen C. CRC Handbook of Digital System Design, Second Edition. CRC Press. 1990: 225 [4 January 2016]. ISBN 0849342724. (原始內容存檔於27 October 2016).