丁矽烷
外觀
丁矽烷 | |
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別名 | 正丁矽烷 |
識別 | |
CAS編號 | 7783-29-1 |
PubChem | 6327668 |
ChemSpider | 122662 |
SMILES |
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EINECS | 616-515-4 |
性質 | |
化學式 | H10Si4 |
摩爾質量 | 122.42 g·mol−1 |
外觀 | 在空氣中自燃的無色液體[1] |
密度 | 0.792 g·cm−3[2] |
熔點 | −89.9 °C[2] |
沸點 | 108.1 °C[2] |
溶解性(水) | 反應[1] |
危險性 | |
GHS危險性符號 | |
GHS提示詞 | Danger |
H-術語 | H250 |
相關物質 | |
相關化學品 | 丁烷 |
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。 |
丁矽烷是一種矽烷,結構式 SiH3–(SiH2)2–SiH3。
製備
[編輯]丁矽烷可以由矽化鎂(Mg2Si)和酸(如20% 磷酸)在50–60 °C下反應而成:[3]
反應可以產生直到十五矽烷的各種矽烷。矽化鎂和25% 鹽酸的反應會產生40% 甲矽烷、30% 乙矽烷、15% 丙矽烷、10% 丁矽烷和5% 高級矽烷。[4]反應混合物可以通過蒸餾分離。
此外,包括丁矽烷的各種高級矽烷可以由甲矽烷的放電產生:[3]
性質
[編輯]丁矽烷是無色、可自燃的液體,有噁心的味道。它在54 °C以下仍會自燃,[1]比丙矽烷更不穩定,在室溫下緩慢分解成氫氣和短矽烷。[5]
反應
[編輯]在氯化鋁存在下在二甲苯里加熱丁矽烷會使其異構化成異丁矽烷。[7]
參考資料
[編輯]- ^ 1.0 1.1 1.2 Material Safety Data Sheet for Tetrasilane (Si4H10) (PDF-Datei)
- ^ 2.0 2.1 2.2 Lide, D. R. (編), CRC Handbook of Chemistry and Physics 86th, Boca Raton (FL): CRC Press: 81, 2005, ISBN 0-8493-0486-5
- ^ 3.0 3.1 Steudel, Ralf. Chemie der Nichtmetalle : Synthesen, Strukturen, Bindung, Verwendung. Berlin: Walter de Gruyter GmbH & Co. KG. 2014. ISBN 978-3-11-030797-9. OCLC 878132626 (德語).
- ^ Holleman, A. F. Lehrbuch der anorganischen Chemie. Berlin: W. de Gruyter. 1960. ISBN 978-3-11-023832-7. OCLC 868974239 (德語).
- ^ Stock, Alfred; Stiebeler, Paul; Zeidler, Friedrich. Siliciumwasserstoffe, XVI.: Die höheren Siliciumhydride. Berichte der deutschen chemischen Gesellschaft (A and B Series) (Wiley). 1923-07-04, 56 (7): 1695–1705. ISSN 0365-9488. doi:10.1002/cber.19230560735.
- ^ Fehér, F.; Fischer, I. Beiträge zur Chemie des Siliciums und Germaniums, XXVIII. Die photochemische Disproportionierung von n-Tetrasilan, Darstellung und Eigenschaften von 3-Silylpentasilan. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (Wiley). 1976, 421 (1): 9–14. ISSN 0044-2313. doi:10.1002/zaac.19764210103 (德語).
- ^ Franz Fehér, Franz Ocklenburg und Dieter Skrodzki: Beiträge zur Chemie des Siliciums und Germaniums, XXXII, Isomerisierung von höheren Silanen mit Aluminiumchlorid. In: Zeitschrift für Naturforschung B. 35, 1980, S. 869–872 (PDF, freier Volltext).