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三乙基鎵

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三乙基鎵
IUPAC名
triethylgallane
系統名
triethylgallium
別名 TEGa
識別
CAS號 1115-99-7
PubChem 66198
ChemSpider 59583
SMILES
 
  • CC[Ga](CC)CC
性質[2]
化學式 C6H15Ga
摩爾質量 156.9 g·mol⁻¹
外觀 無色粘稠液體[1]
密度 1.067 g·cm−3(25 °C)
熔點 -82 °C(191 K)
沸點 143 °C(416 K)
溶解性 水解
危險性
主要危害 可自燃
相關物質
其他陰離子 三甲基鎵
其他陽離子 三乙基硼
三乙基鋁
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

三乙基鎵是化學式Ga(C2H5)3有機鎵化合物。它是無色、可自燃的液體,可用於有機金屬化學氣相沉積法[3]

製備和反應

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三乙基鎵主要通過三氯化鎵的烷基化合成。使用格氏試劑醚溶液烷基化三氯化鎵會產生醚加合物,其中的醚分子不易移除。三乙基鎵也可通過三氯化鎵與三乙基鋁反應產生:[4]

GaCl
3
+ 3 AlEt
3
→ GaEt
3
+ 3 AlClEt
2

三乙基鎵可通過氧化醇解變成無色、對空氣穩定的醇鹽[4]

GaEt
3
+ 0.5 O
2
→ GaEt
2
(OEt)
GaEt
3
+ EtOH → GaEt
2
(OEt) + EtH

它與三乙基鎵發生重分配反應英語Redistribution reaction[4]

2GaEt
3
+ GaCl
3
→ 3 GaEt
2
Cl

應用

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用三乙基鎵生長出的化合物半導體的碳雜質較少,因此可在有機金屬化學氣相沉積法中替代三甲基鎵[5]

參考資料

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  1. ^ Brauer, Georg. Handbuch der präparativen anorganischen Chemie. Stuttgart: Enke. 1975: 847. ISBN 3-432-02328-6 (德語). 
  2. ^ 來源:Sigma-Aldrich Co., product no. 730726 .
  3. ^ Shenaikhatkhate, D; Goyette, R; Dicarlojr, R; Dripps, G. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 272: 816. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007. 
  4. ^ 4.0 4.1 4.2 J.J.Eisch, R. B. King (編). Organometallic Syntheses Volume 2. Nontransition Metal Compounds. NY, NY: Academic Press. 1981. 
  5. ^ Saxler, A; Walker, D; Kung, P; Zhang, X; Razeghi, M; Solomon, J; Mitchel, W; Vydyanath, H. Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN (PDF). Applied Physics Letters. 1997, 71: 3272. Bibcode:1997ApPhL..71.3272S. doi:10.1063/1.120310.