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晶圆切割

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晶圆切割,是半导体器件制造过程中,将裸晶半导体成品晶圆上分离出来的过程。[1]晶圆切割进行于光刻工艺之后的,涉及划线、断裂、机械锯切[2]激光切割等等,切割方法通常都自动化以确保精度和准确性。[3]切割后单个芯片可以被封装到芯片载体中,用于构建电子设备,例如计算机等。

切割过程中,晶圆通常安装在切割胶带上,切割胶带具有黏性背衬,可将晶圆固定在薄金框架上。根据切割应用的不同,切割胶带具有不同的特性。 UV固化胶带用于较小尺寸,非UV切割胶带用于较大芯片尺寸。划片锯可以使用带有钻石颗粒的划片刀片,以30,000 rpm的速度旋转并用去离子水冷却。一旦晶圆被切割,留在切割带上的片就被称为裸晶。每个都将被封装在合适的封装中或作为“裸芯片”直接放置在印刷电路板基板上。被切掉的区域称为模具街道,通常约75 μm宽。一旦晶圆被切割,芯片将留在切割胶带上,直到在电子组装过程中被芯片处理设备(例如芯片键合机或芯片分类机)取出。

标准半导体制造采用“减薄后切割”方法,即先将晶圆减薄,然后再进行切割。晶圆在切割前会被称为背面研磨(back side grinding)的工艺进行研磨。 [1]

留在胶带上的芯片尺寸范围可能为一侧35 mm(非常大)至 0.1 mm(非常小)。创建的模具可以是由直线生成的任何形状,通常是矩形或正方形。在某些情况下,它们也可以是其他形状,这取决于所使用的分割方法。全切割激光切割机能够切割和分离各种形状。

切割的材料包括玻璃氧化铝、硅、砷化镓(GaAs)、蓝宝石上硅(SoS)、陶瓷和精密化合物半导体。[来源请求][需要引用]

隐形切割

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隐形切割150 µm厚的硅晶圆横截面显微照片 [4]

硅芯片的切割也可以透过基于激光的技术进行,即所谓的隐形切割过程。它是一个两阶段的过程,首先透过沿着预定的切割线扫描光束将缺陷区域引入晶圆中,然后扩展下面的载体膜以引发断裂。 [5]

第一步使用波长1064 nm的脉冲Nd:YAG 激光,很好适应的电子能隙(1117 nm),因此可通过光学聚焦调整最大吸收[6]缺陷区域约10 µm宽度透过激光沿着预期的切割通道进行多次扫描刻划,其中光束聚焦在晶圆的不同深度。[7]单一激光脉冲会导致类似于蜡烛火焰形状的缺陷晶体区域。这种形状是由激光光束焦点中照射区域的快速熔化和凝固造成,其中只有一些 立方微米等级的小体积在纳秒内突然升至约1000 K的温度,然后再次降至环境温度。[6][7]激光的脉冲频率通常约为100 kHz,而芯片以大约 1 m/s的速度移动。缺陷区域约10 µm 宽度最终刻在晶圆上,在机械负载下沿着晶圆发生优先断裂。断裂在第二步骤中进行,并透过径向膨胀芯片所附着的载体膜来进行。解理从底部开始并进展到表面,因此必须在底部引入高畸变密度。[需要解释][需要澄清][来源请求]

隐形切割工艺的优点是不需要冷却液。干式切割方法不可避免地必须应用于某些微机电系统 的制备,特别是当这些系统用于生物电子时。[4]此外,隐形切割几乎不会产生碎片,并且由于与晶圆锯相比切口损失较小,因此可以改善晶圆表面的利用。在此步骤之后可以进行芯片研磨,以减少芯片厚度。[8]

研削前切割

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DBG (dice before grind)制程是一种无需切割即可分离芯片的方法。分离发生在晶圆减薄步骤期间。最初使用半切切割机将晶圆切割至低于最终目标厚度的深度。接下来,将晶圆减薄至目标厚度,同时安装在特殊的黏合膜[9],然后安装到拾取胶带上以将芯片固定到位,直到准备好进行封装步骤。 DBG 制程的优点在于更高的模具强度。[10]或者,可以使用等离子切割,用DRIE等离子蚀刻取代切割机锯。 [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18]

DBG制程需要背磨胶带具有以下属性,1)黏附力强(防止磨削过程中研磨液和模具灰尘的渗透),2)吸收和/或缓解磨削过程中的压缩应力和剪切应力,3)抑制因芯片之间的接触而产生的裂纹,4)透过紫外线照射可以大大降低黏合强度。[19]

相关内容

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  • 晶圆键合

参考

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  1. ^ 1.0 1.1 Lei, Wei-Sheng; Kumar, Ajay; Yalamanchili, Rao. Die singulation technologies for advanced packaging: A critical review. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 2012-04-06, 30 (4). ISSN 2166-2746. doi:10.1116/1.3700230. 
  2. ^ Key Wafer Sawing Factors. Optocap. [14 April 2013]. (原始内容存档于2013-05-21). 
  3. ^ Wafer Dicing Service | Wafer Backgrinding & Bonding Services. www.syagrussystems.com. [2021-11-20]. (原始内容存档于2023-05-06). 
  4. ^ 4.0 4.1 M. Birkholz; K.-E. Ehwald; M. Kaynak; T. Semperowitsch; B. Holz; S. Nordhoff. Separation of extremely miniaturized medical sensors by IR laser dicing. J. Opto. Adv. Mat. 2010, 12: 479–483.  引用错误:带有name属性“JOAM2010”的<ref>标签用不同内容定义了多次
  5. ^ M. Kumagai; N. Uchiyama; E. Ohmura; R. Sugiura; K. Atsumi; K. Fukumitsu. Advanced Dicing Technology for Semiconductor Wafer—Stealth Dicing. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. August 2007, 20 (3): 259–265. S2CID 6034954. doi:10.1109/TSM.2007.901849. 
  6. ^ 6.0 6.1 E. Ohmura; F. Fukuyo; K. Fukumitsu; H. Morita. Internal modified layer formation mechanism into silicon with nanosecond laser. J. Achiev. Mat. Manuf. Eng. 2006, 17: 381–384. 
  7. ^ 7.0 7.1 M. Kumagai; N. Uchiyama; E. Ohmura; R. Sugiura; K. Atsumi; K. Fukumitsu. Advanced Dicing Technology for Semiconductor Wafer – Stealth Dicing. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2007, 20 (3): 259–265. S2CID 6034954. doi:10.1109/TSM.2007.901849. 
  8. ^ 共通 | DISCO Corporation. [2024-01-11]. (原始内容存档于2019-12-08). 
  9. ^ 共通 | DISCO Corporation. [2024-01-11]. (原始内容存档于2020-02-22). 
  10. ^ Semiconductor Dicing Tapes. Semiconductor Dicing Tapes. [14 April 2013]. (原始内容存档于2023-05-04). 
  11. ^ Plasma Dicing | Orbotech. www.orbotech.com. [2024-01-11]. (原始内容存档于2019-12-05). 
  12. ^ APX300 : Plasma Dicer - Industrial Devices & Solutions - Panasonic. industrial.panasonic.com. [2024-01-11]. (原始内容存档于2021-06-16). 
  13. ^ Plasma Dicing of Silicon & III-V (GaAs, InP & GaN). SAMCO Inc. [2024-01-11]. (原始内容存档于2023-05-07). 
  14. ^ Example of plasma dicing process | Download Scientific Diagram. [2024-01-11]. (原始内容存档于2023-05-02). 
  15. ^ Plasma-Therm: Plasma Dicing. www.plasmatherm.com. [2024-01-11]. (原始内容存档于2023-03-06). 
  16. ^ Plasma Dicing Solutions of a Variety of Materials: From Silicon Wafers with Metal or Resin Layers, to Compound Semiconductors (PDF). [2023-11-19]. (原始内容存档 (PDF)于2023-05-02). 
  17. ^ Resource Center. Plasma-Therm. June 22, 2022 [2024-01-11]. (原始内容存档于2024-01-13). 
  18. ^ Plasma Dicing (Dice Before Grind) | Orbotech. www.orbotech.com. 
  19. ^ Products for DBG Process (LINTEC) http://www.lintec-usa.com/di_dbg.cfm页面存档备份,存于互联网档案馆