本页使用了标题或全文手工转换

杂质半导体

维基百科,自由的百科全书
跳到导航 跳到搜索

杂质半导体(英語:extrinsic semiconductor)又称外质半导体,是掺杂了杂质的半导体,即在本征半导体中加入掺杂物,使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变。

掺杂[编辑]

若在純矽中摻雜(doping)少許的施子(即五價原子,最外層有5個電子的原子)如磷、砷、銻,施子的一個價電子就會成為自由電子,如此形成N型半導體,自由電子為N型半導體中導電的主要載子(多數載子)。

若在純矽中摻雜少許的受子(即三價原子,最外層有3個電子的原子)如硼、鋁、鎵、銦,就少了1個電子,而形成一個電洞(Hole,或稱電孔),如此形成P型半導體,電孔為P型半導體中導電的主要載子(多數載子)。

因摻雜前的本質半導體與雜質皆為電中性,摻雜後的外質半導體也為電中性。

参考來源[编辑]

文献
  • Turley, Jim. The Essential Guide to Semiconductors. Prentice Hall PTR. 2002. ISBN 978-0-13-046404-0. 
  • Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel. Fundamentals of Semiconductors : Physics and Materials Properties. Springer. 2004. ISBN 978-3-540-41323-3. 
  • Neamen, Donald A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles (3rd ed.). McGraw-Hill Higher Education. 2003. ISBN 0-07-232107-5. 
引用

外部链接[编辑]