相變化記憶體

存储设备

易失性存储器 SRAM DRAM SDRAM DDR DDR2 DDR3 GDDR 发展中 Z-RAM TTRAM 历史上 延迟线存储器 选数管 威廉姆斯管 非易失性存储器 ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 发展中 FeRAM MRAM PRAM CBRAM SONOS RRAM NRAM Millipede 历史上 磁芯記憶體 磁鼓存储器 磁镀线存储器 磁泡存储器 磁扭线存储器

相變化記憶體（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非揮發性記憶體裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）製成。硫族化物玻璃的特性是，經加熱可以改變它的狀態，成為晶體或非晶體。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。

它是可能取代快閃記憶體的技術之一。

外部連結

• 攻克相变存储 PCM芯片比当前闪存快100倍