相變化記憶體

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存储设备

相變化記憶體英语Phase-change memory英语Ovonic Unified Memory英语Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存储器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)製成。硫族化物玻璃的特性是,經加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是可能取代快閃記憶體的技術之一。

技術內容[编辑]

限制[编辑]

發展狀況[编辑]

外部連結[编辑]