随机存取存储器

存储设备

易失性存储器 SRAM DRAM SDRAM DDR DDR2 DDR3 GDDR 发展中 Z-RAM TTRAM 历史上 延迟线存储器 选数管 威廉姆斯管 非易失性存储器 ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 发展中 FeRAM MRAM PRAM CBRAM SONOS RRAM NRAM Millipede 历史上 磁芯記憶體 磁鼓存储器 磁镀线存储器 磁泡存储器 磁扭线存储器

RAM

随机存取存储器（英语：Random Access Memory，RAM）又称作“随机存储器”，中国大陆称作隨機存取存儲器，台湾、港澳称作随机存取记忆体，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存。它可以隨時读写（重新整理時除外，見下文），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式的临时資料存储媒介。

主記憶體（Main memory）即電腦內部最主要的記憶體，用來載入各式各樣的程式與資料以供CPU直接執行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主記憶體的最主要部分。2011年前生產電腦所用的主記憶體主要是DDR2 SDRAM，直到2012年尾生產電腦所用的主記憶體主要是DDR3 SDRAM。

動態隨機存取記憶體（DRAM）的特点

隨機存取

所谓「随机存取」，指的是当存储器中的訊息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储設備中的信息时，其所需要的时间与位置就會有關係（如磁带）。

易失性

当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的儲存設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM則不会。

較高的存取速度

現代的随机存取存储器幾乎是所有存取裝置中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機械運作的儲存裝置（如硬盤、光驅）相比，也顯得微不足道。但速度仍然不如作為CPU快取用的SRAM。

需要刷新

現代的随机存取存储器依賴電容器儲存資料。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，電荷會漸漸隨時間流失而使資料發生錯誤。刷新是指重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。DRAM的讀取即有刷新的功效，但一般的定時刷新並不需要作完整的讀取，只需作該晶片的一個列（Row）選擇，整列的資料即可獲得刷新，而同一時間內，所有相關記憶晶片均可同時作同一列選擇，因此，在一段期間內逐一做完所有列的刷新，即可完成所有記憶體的刷新。需要刷新正好解釋了随机存取存储器的易失性。

對靜電敏感

正如其他精細的集成電路，随机存取存储器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存储器內電容器的電荷，引致資料流失，甚至燒壞電路。故此觸碰随机存取存储器前，應先用手觸摸金屬接地。

分类

RAM 記憶體可以进一步分为靜態隨機存取記憶體（SRAM）和动态隨機存取記憶體（DRAM）两大类。SRAM具有快速存取的優點，但生產成本較為昂貴，一個典型的應用是快取。而DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主記憶體。

相關條目

• 電腦記憶體
• 唯讀記憶體
• DRAM
• SRAM
• Cache