DDR SDRAM

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存储设备
1張有184針的DDR SDRAM

双倍数据率同步動態隨機存取記憶體英语Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱DDR SDRAM)為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM,其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍,由於速度增加,其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

DDR SDRAM 能在系统时脉的上升延和下降延都可以进行数据传输。

JEDEC为DDR存储器设立了速度规範[1],并分为了以下两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。

規格[编辑]

SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料,它是在时钟上升期進行資料传输;而DDR则是一個时钟周期内可传输两次資料,也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次資料。

芯片和模块[编辑]

標準名稱 I/O 匯流排時脈
(MHz)
週期
(ns)
記憶體時脈
(MHz)
數據速率
(MT/s)
傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率
(MiB/s)
DDR-200 100 10 100 200 並列傳輸 PC-1600 1600
DDR-266 133 7.5 133 266 並列傳輸 PC-2100 2100
DDR-333 166 6 166 333 並列傳輸 PC-2700 2700
DDR-400 200 5 200 400 並列傳輸 PC-3200 3200

注意:上面列出的數據都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的數據率不一定是JEDEC規範,往往是製造商自行最佳化,使用更嚴格的公差或overvolted晶片。

DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異,設計不同的時鐘頻率,例如,PC-1600被設計運行在100 MHz,至於PC-2100被設計運行在133 MHz。

DDR SDRAM 的模塊用於桌上型電腦,被稱為DIMMs,有184隻引腳(而不是168針SDRAM,或240針腳的DDR2 SDRAM),並可以從不同notches數目來辨別(DDR SDRAM,有一個,SDRAM,SDRAM DIMMs的有兩個)。筆記本電腦上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200隻引腳,引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似,如果不能確定正確的匹配,必須小心插入。

記憶晶片[编辑]

  • DDR-200:DDR-SDRAM 記憶晶片在 100MHz 下運行
  • DDR-266:DDR-SDRAM 記憶晶片在 133MHz 下運行
  • DDR-333:DDR-SDRAM 記憶晶片在 166MHz 下運行
  • DDR-400:DDR-SDRAM 記憶晶片在 200MHz 下運行(JEDEC制定的DDR最高規格)
  • DDR-500:DDR-SDRAM 記憶晶片在 250MHz 下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
  • DDR-600:DDR-SDRAM 記憶晶片在 300MHz 下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
  • DDR-700:DDR-SDRAM 記憶晶片在 350MHz 下運行(非JEDEC制定的DDR規格)

芯片模塊[编辑]

為了要增加內存的容量和帶寬,芯片會利用模塊結合。例如,有關 DIMMs 的64位元bus需要8個 8位的芯片並行處理。與常見的位址線(address lines)的多個芯片被稱為memory rank。這個術語被引入,是要避免與芯片內部row和bank的混亂。

  • PC-1600記憶體{模塊}指工作在 100MHz 下的DDR-200內存芯片,其擁有 1.600GB/s 的頻寬
  • PC-2100記憶體模塊指工作在 133MHz 下的DDR-266內存芯片,其擁有 2.133GB/s 的頻寬
  • PC-2700記憶體模塊指工作在 166MHz 下的DDR-333內存芯片,其擁有 2.667GB/s 的頻寬
  • PC-3200記憶體模塊指工作在 200MHz 下的DDR-400內存芯片,其擁有 3.200GB/s 的頻寬

高密度比低密度[编辑]

PC3200是使用帶寬 3200 MB / s的DDR - 400芯片設計,在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200內存的上升和下降時鐘邊沿的數據傳輸,其有效的時鐘速率為 400 MHz。

替換[编辑]

DDR SDRAM
Standard
Bus clock
(MHz)
Internal rate
(MHz)
Prefetch
(min burst)
Transfer Rate
(MT/s)
Voltage DIMM
pins
SO-DIMM
pins
MicroDIMM
pins
DDR 100–200  100–200 2n 200–400  2.5/2.6 184 200 172
DDR2 200–533  100–266 4n 400–1066 1.8 240 200 214
DDR3 400–1066 100–266 8n 800–2133 1.5 240 204 214

(DDR1)已被DDR2 SDRAM取代,其中有一些修改,以允許更高的時脈頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準,提供更高的性能和新功能。

DDR 預取緩衝器(prefetch buffer)深度為2位元,而DDR2採用4位元。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR,但整體性能並沒有提升,主要是由於DDR2高延遲(high latency)。直到2004年DDR2才有明顯的提升。

MDDR[编辑]

MDDR是Mobile DDR的縮寫,在一些行動電子設備中使用,像是使用移動電話、手持設備、數字音頻播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的刷新選項(advanced refresh options)技術,MDDR可以實現更高的電源效率。

公式[编辑]

利用下列公式,就可以計算出DDR SDRAM時脈。

DDR I/II記憶體運作時脈:實際時脈*2。 (由於兩筆資料同時傳輸,200MHz記憶體的時脈會以400MHz運作。)

記憶體頻寬=記憶體速度*8 Byte‎‎

標準公式:記憶體除頻係數=時脈/200→*速算法:外頻*(除頻頻率/同步頻率) (使用此公式將會導致4%的誤差)

注釋[编辑]

外部链接[编辑]

參见[编辑]