磁阻式隨機存取記憶體

磁性随机存储器的结构

存储设备

易失性存储器 SRAM DRAM SDRAM DDR DDR2 DDR3 GDDR 发展中 Z-RAM TTRAM 历史上 延迟线存储器 选数管 威廉姆斯管 非易失性存储器 ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 发展中 FeRAM MRAM PRAM CBRAM SONOS RRAM NRAM Millipede 历史上 磁芯記憶體 磁鼓存储器 磁镀线存储器 磁泡存储器 磁扭线存储器

磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非揮發性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術可望取代快閃記憶體與DRAM，成為真正的通用型記憶體（Universal memory）。

它應用巨磁阻效应為其工作原理。