王阳元

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王阳元浙江宁波人,中国著名微电子学家,中国科学院院士北京大学微电子学研究院院长,信息科学技术学院微电子学系主任,微米/纳米加工技术国家重点实验室主任,美国IEEE Fellow、英国IEE Fellow。他是中国栅N沟道MOS技术开拓者之一。

1935年1月1日,生于浙江宁波镇海县(现镇海区)。1947年,入读宁波中学。1953年,考入北京大学,1958年毕业。

20世纪70年代,主持研制成功中国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器。20世纪80年代,提出多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型,工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,受国际同行重视。20世纪90年代后期,开始研究微机电系统(MEMS),获得一系列专利。领导研制成功中国首个大型集成化的ICCAD系统。创建中芯国际(SMIC)集成电路制造有限公司。