相变化记忆体
外观
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计算机存储器类型 |
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易失性存储器 |
RAM |
发展中 |
历史上 |
非易失性存储器 |
ROM |
非挥发性随机存取记忆体 |
早期非易失性随机存取存储器 |
磁式 |
光学式 |
发展中 |
历史上 |
相变化记忆体(英语:Phase-change memory,英语:Ovonic Unified Memory,英语:Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位记忆体,是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成,目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪记忆体的技术之一。
技术内容
[编辑]限制
[编辑]发展状况
[编辑]Intel在2003年开始进行研发。
目前研究的单位有 Intel,Samsung,Macronix,Advanced Memory Corp.
外部链接
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