相变化存储器 - 维基百科，自由的百科全书

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计算机存储器类型（维基数据所列：Q125005976）
易失性存储器
RAM
DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM
发展中
可控硅随机存储器（英语：T-RAM） Z-RAM
历史上
威廉姆斯管（1946－47年）延迟线存储器（1947年）选数管（1953年）冷阴极计数管
非易失性存储器
ROM
Mask ROM（英语：Mask ROM） PROM EPROM EEPROM 闪存固态存储
非易失性随机存储器（英语：NVRAM）
RRAM
早期非易失性随机存取存储器
nvSRAM（英语：nvSRAM） FeRAM MRAM PRAM
磁式
磁带硬盘
光学式
光碟机
发展中
3D XPoint CBRAM SONOS 赛道存储器 NRAM Millipede FJG RAM（英语：FJG RAM）
历史上
纸张数据存储（英语：Paper data storage）（1725年）磁鼓存储器（1932年）磁芯存储器（1949年）磁镀线存储器（1957年） Core rope memory（英语：Core rope memory）（1960年代）薄膜存储器（英语：Thin-film memory）（1962年）磁扭线存储器（~1968年）磁泡存储器（~1970年）
查论编

相变化存储器（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位存储器，是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃（英语：Chalcogenide glass）（Chalcogenide glass）制成，目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃（英语：Chalcogenide glass）的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。它是未来可能取代闪存的技术之一。