相变化存储器
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| 计算机存储器类型 |
|---|
| 易失性存储器（内存） |
| RAM |
| 发展中 |
| 历史上 |
| 非易失性存储器（外存） |
| ROM |
| 非易失性随机存取存储器 |
| 早期非易失性随机存取存储器 |
| 磁式 |
| 光学式 |
| 发展中 |
| 历史上 |
相变化存储器（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位存储器，是一种非易失性存储器装置。PRAM使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，目前的主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代闪存的技术之一。
技术内容[编辑]
限制[编辑]
发展状况[编辑]
Intel在2003年开始进行研发。
目前研究的单位有 Intel，Samsung，Macronix，Advanced Memory Corp.
外部链接[编辑]
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