铁电随机存取记忆体

FeRAM

铁电随机存取记忆体（Ferroelectric RAM，缩写为FeRAM或FRAM），类似于SDRAM，是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性记忆体的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克（Dudley Allen Buck）在1952年提出的硕士论文中，首次提出了这个概念。它有比闪存更低的耗电量，还有更高的写入速度，还有更长的读写寿命(大约10¹⁰到10¹⁵次循环)。它在+85℃时可以保存数据十年以上。但是它的缺点是比闪存存储密度低，存储容量限制，和更高的价格。与DRAM相比，铁电随机存取器的读操作是破坏性的，因为它需要遵循先写后读架构；若比较旧制程的产品，其密度及速度与相同制程的DRAM接近，但不知道是否能使用与DRAM一样先进的制程制造。相较于MRAM，铁电随机存取记忆体可以在强大许多的磁场下正常使用。