跳转到内容

铁电随机存取记忆体

维基百科,自由的百科全书
FeRAM

铁电随机存取记忆体Ferroelectric RAM,缩写为FeRAMFRAM),类似于SDRAM,是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料,取代原有的介电质,使得它也拥有非挥发性记忆体的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的硕士论文中,首次提出了这个概念。它有比闪存更低的耗电量,还有更高的写入速度,还有更长的读写寿命(大约10¹⁰到10¹⁵次循环)。它在+85℃时可以保存数据十年以上。但是它的缺点是比闪存存储密度低,存储容量限制,和更高的价格。与DRAM相比,铁电随机存取器的读操作是破坏性的,因为它需要遵循先写后读架构;若比较旧制程的产品,其密度及速度与相同制程的DRAM接近,但不知道是否能使用与DRAM一样先进的制程制造。相较于MRAM,铁电随机存取记忆体可以在强大许多的磁场下正常使用。