洪朝生(1920年10月10日—2018年8月19日),男,北京人,中国物理学家,中国科学院理化技术研究所研究员。中国低温物理、超导和低温工程研究的开拓者和奠基人之一。[1]
1940年毕业于清华大学电机工程系。1945年远赴美国留学,1948年获美国麻省理工学院理学博士学位。后于美国普渡大学及荷兰莱顿大学卡莫林·昂纳斯实验室工作。
1951年回国,时任中国科学院应用物理所副研究员、研究员,并兼任清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授一职,1978年荣任中国科学院物理研究所副所长,1982年荣任中国科学院低温技术实验中心主任。1980年当选为中国科学院学部委员(院士)。
- 1950年,于半导体锗单晶输运现象实验中,发现杂质能级上的导电现象,并提出半导体禁带中杂质导电概念,此现象被半导体物理界称之为“洪朝生效应”。亦间接促进尔后“无序系统电子输运现象”实验研究的开端。
- 1953年,于中国科学院物理研究所组建国内第一所低温实验室,主持研制低温研究设备。陆续发现氢、氦的液化及相关技术的推广。
- 1970年,领导低温科研队伍,完成大型空间模拟系统KM3与KM4低温氦制冷系统的研制任务。为卫星升空的环境模拟出试验要件。
- 1985年,KM4大型航天环境模拟设备的研制,荣获“国家科技进步一等奖”。
- 1989年,荣获中国物理学会胡刚复物理奖。
- 2000年,荣获国际低温工程理事会门德尔松奖。
- 2011年,荣获美国低温工程和低温材料大会赛谬尔·柯林斯奖。
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| 物理学数学化学部 | |
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| 数学物理学化学部 | |
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| 数学物理学部 | 1980年 | |
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| 1982年12月-1987年2月 | | 名誉理事长 | |
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| 1987年3月-1991年3月 | | 理事长 | |
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