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雪崩二極管

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雪崩二極管
类型 被動
工作原理 突崩潰

雪崩二極管(avalanche diode)是設計在特定反向電壓下,會突崩潰二極管,其材料會用或是其他半导体材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計,避免電流集中及所產生高溫熱點,因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度,因此產生更多的載子,也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的,相較於非雪崩的二極管,雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化,大致呈一定值[1]

稽納二極體除了齊納崩潰英语Zener breakdown外,也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應,但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化,因此在崩潰條件下會有很小,但明顯的電壓差。而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管,比稽納二極體的保護效果要好。雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數,而稽納二極體則是負溫度係數[2]

相關條目[编辑]

參考資料[编辑]

  1. ^ L. W. Turner, (ed.), Electronics Engineer's Reference Book, 4th Edition, Newnes, 1976 pages 8-9 to 8-10
  2. ^ Jacob Millman Microelectronics, McGraw-Hill, 1979 ISBN 0-07-042327-X, pp. 45-47