本頁使用了標題或全文手工轉換

光電二極體

維基百科,自由的百科全書
跳至導覽 跳至搜尋
三個矽光電二極體(前三個)以及一個鍺光電二極體(最後一個)
光電二極體的符號

光電二極體(英語:photodiode )是一種能夠將光根據使用方式,轉換成電流或者電壓訊號的光探測器。[1] 常見的傳統太陽能電池就是通過大面積的光電二極體來產生電能。

光電二極體與常規的半導體二極管基本相似,只是光電二極體可以直接暴露在光源附近或通過透明小窗、光導纖維封裝,來允許光到達這種器件的光敏感區域來檢測光訊號。許多用來設計光電二極體的二極管使用了一個PIN結,而不是一般的PN接面,來增加器件對訊號的響應速度。光電二極體常常被設計為工作在逆向偏壓狀態。[2]

工作原理[編輯]

光電二極體的工作曲線

一個光電二極體的基礎結構通常是一個PN接面或者PIN結。當一個具有充足能量的光子衝擊到二極管上,它將激發一個電子,從而產生自由電子(同時有一個帶正電的電洞)。這樣的機制也被稱作是內光電效應。如果光子的吸收發生在結的空乏層,則該區域的內電場將會消除其間的屏障,使得電洞能夠向着陽極的方向運動,電子向着陰極的方向運動,於是光電流就產生了。實際的光電流是暗電流和光照產生電流的綜合,因此暗電流必須被最小化來提高器件對光的靈敏度。[3]

光電壓模式[編輯]

當偏壓為0時,光電二極體工作在光電壓模式,這時流出光電二極體的電流被抑制,兩端電勢差積累到一定數值。 (太陽能電池)

光電導模式[編輯]

當工作在這一模式時,光電二極體常常被逆向偏壓,急劇的降低了其響應時間,但是雜訊不得不增加作為代價。同時,空乏層的寬度增加,從而降低了結電容,同樣使得響應時間減少。逆向偏壓會造成微量的電流(飽和電流),這一電流與光電流同向。對於指定的光譜分佈,光電流與入射光照度之間呈線性比例關係。[4]

儘管這一模式響應速度快,但是它會引發更大的訊號雜訊。一個良好PIN二極管的泄漏電流很小(小於1納安),因此負載電阻的約翰遜·奈奎斯特雜訊Johnson–Nyquist noise)會造成較大的影響。

其他工作模式[編輯]

雪崩光電二極體具有和常規光電二極體相似的結構,但是需要高得多的逆向偏壓電壓。這將允許光照產生的載子通過突崩潰大量增加,在光電二極體內部產生內部增益,從而進一步改善器件的響應率

光電電晶體從根本上來說是一個雙極性電晶體被封裝在一個透明的箱子裏,使得光可以到達其基極、集極之間的結上。在基極、集極之間的結上由光子激發的電子被注入到基極,這光電流被電晶體以增益β放大。如果射極沒有連接,則光電電晶體就成為了一個光電二極體。光電電晶體的響應時間更長。

材料[編輯]

用於製作光電二極體的材料對於產品屬性至關重要,因為只有具備充足能量光子能夠激發電子穿過能隙,從而產生顯著的光電流。

下表包括了用於製造光電二極體的常見材料:[5]

材料 電磁波譜
波長範圍(納米)
190–1100
400–1700
砷化銦鎵 800–2600
硫化鉛 <1000–3500

由於矽光電二極體具有更大的能隙,因此它在應用過程中產生的訊號雜訊比鍺光電二極體小。

性能參數[編輯]

光電二極體的一些關鍵性能參數包括以下幾項。

響應率[編輯]

一個矽光電二極體的響應特性與突發光照波長的關係

響應率定義為光電導模式下產生的光電流與激發光照的比例,單位為安培/瓦特(A/W)。響應特性也可以表達為量子效率),即光照產生的載子數量與激發光照光子數的比例。

暗電流[編輯]

在光電導模式下,當不接受光照時,通過光電二極體的電流被定義為暗電流。暗電流包括了輻無線電流以及半導體結的飽和電流。暗電流必須預先測量,特別是當光電二極體被用作精密的光功率測量時,暗電流產生的誤差必須認真考慮並加以校正。

響應時間[編輯]

一個光子被半導體材料吸收,將會產生一對電子-電洞對,並在偏壓電場的作用下分別向兩個相反的方向運動,進而產生電流。電流產生時間受到載子渡越時間限制,可通過Ramo定理進行估算。同時,光電二極體的電阻和電容與外電流產生另一個時間響應,稱為RC時間常數。RC進一步延遲了器件的響應。在光通信系統中,器件的響應時間決定了可接受光訊號的調變頻率。

等效雜訊功率[編輯]

等效雜訊功率(英語:Noise-equivalent power, NEP)是指能夠產生光電流所需的最小光功率,與1赫茲時的雜訊功率均方根值相等。與此相關的一個特性被稱作是探測能力(detectivity, D),它等於等效雜訊功率的倒數。等效雜訊功率大約等於光電二極體的最小可探測輸入功率。

當光電二極體被用在光通信系統中時,這些參數直接決定了光接收器的靈敏度,即獲得指定位元誤碼率的最小輸入功率。

應用[編輯]

PN接面型光電二極體與其他類型的光探測器一樣,在諸如光敏電阻、感光耦合元件以及光電倍增管等設備中有着廣泛應用。它們能夠根據所受光的照度來輸出相應的模擬電訊號(例如測量儀器)或者在數碼電路的不同狀態間切換(例如控制開關、數碼訊號處理)。

光電二極體在消費電子產品,例如CD播放器、煙霧探測器以及控制電視機、空調的紅外線遙控設備中也有應用。對於許多應用產品來說,可以使用光電二極體或者其他光導材料。它們都可以被用於測量光,常常工作在照相機的測光器、路燈亮度自動調節等。

所有類型的光傳感器都可以用來檢測突發的光照,或者探測同一電路系統內部的發光。光電二極體常常和發光器件(通常是發光二極管)被合併在一起組成一個模塊,這個模塊常被稱為光電耦合元件。如果這樣就能通過分析接收到光照的情況來分析外部機械元件的運動情況(例如光斬波器)。光電二極體另外一個作用就是在模擬電路以及數碼電路之間充當中介,這樣兩段電路就可以通過光訊號耦合起來,這可以提高電路的安全性。

在科學研究和工業中,光電二極體常常被用來精確測量光強,因為它比其他光導材料具有更良好的線性。

在醫療應用設備中,光電二極體也有着廣泛的應用,例如X射線計算機斷層成像以及脈搏探測器。

PIN接面型光電二極體一般不用來測量很低的光強。如果弱光情況下需要高靈敏度探測器,雪崩光電二極體、感光耦合元件或者光電倍增管就能發揮作用,例如天文學光譜學、夜視設備、激光測距儀等應用產品。

與光電倍增管的比較[編輯]

比光電倍增管更加優越的特性:

  1. 更好的線性
  2. 從190納米到1100納米(矽)的響應光譜範圍
  3. 低雜訊
  4. 被加固以適應機械擠壓
  5. 價格低廉
  6. 結實但自重較輕
  7. 使用壽命長
  8. 無需高壓電源即可工作

缺點:

  1. 面積太小
  2. 沒有內部增益(雪崩光電二極體除外,而且即使是雪崩光電二極體,其內部增益也通常只有102–103 ,遠低於光電倍增管的108數量級
  3. 總的來說靈敏度更低
  4. 只有具有特殊設計的產品才能對光子進行計數
  5. 許多產品設計的響應時間更慢

光電二極體組[編輯]

一個由上千個光電二極體組成的一維管組可以用來構成位置傳感器、角度傳感器。[6]

參考文獻[編輯]

  1. ^ 國際純化學和應用化學聯合會."Photodiode".《化學術語總目錄》在線版.(英文)
  2. ^ James F. Cox. Fundamentals of linear electronics: integrated and discrete. Cengage Learning. 26 June 2001: 91– [20 August 2011]. ISBN 978-0-7668-3018-9. (原始內容存檔於2013-05-27). 
  3. ^ Filip Tavernier, Michiel Steyaert High-Speed Optical Receivers with Integrated Photodiode in Nanoscale CMOS Springer, 2011 ISBN 1441999248, Chapter 3 From Light to Electric Current - The Photodiode
  4. ^ Photodiode slide. [2012-01-17]. (原始內容存檔於2011-12-11). 
  5. ^ Held. G, Introduction to Light Emitting Diode Technology and Applications, CRC Press, (Worldwide, 2008). Ch. 5 p. 116. ISBN 1-4200-7662-0
  6. ^ Wei Gao. Precision Nanometrology: Sensors and Measuring Systems for Nanomanufacturing. Springer. 2010: 15–16 [2012-01-17]. ISBN 9781849962537. (原始內容存檔於2013-05-27). 
  • Gowar, John, Optical Communication Systems, 2 ed., Prentice-Hall, Hempstead UK, 1993 (ISBN 0-13-638727-6)

外部連結[編輯]