電子抹除式可複寫唯讀記憶體

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存储设备
放在美國一分硬幣上的一枚SOT-23封裝與正反面兩枚超微型DFN封裝的序列式EEPROM ,型號11LC160,容量16 kbit
一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量,型號 29C040 的 Flash EEPROM

EEPROM,或写作E2PROM,全稱電子抹除式可複寫唯讀記憶體英语Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory),是一種可以通過電子方式多次複寫的半導體存儲設備。相比EPROM,EEPROM不需要用紫外線照射,也不需取下,就可以用特定的電壓,來抹除芯片上的信息,以便寫入新的數據

EEPROM有四種工作模式:讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時,芯片只需要Vcc低電壓(一般+5V)供電。編程寫入時,芯片通過Vpp(一般+25V, 較新者可能使用 12V 或 5V)獲得編程電壓,並通過PGM編程脈衝(一般50ms)寫入數據。擦除時,只需使用Vpp高電壓,不需要紫外線,便可以擦除指定地址的內容。為保證寫入正確,在每寫入一塊數據後,都需要進行類似於讀取的校驗步驟,若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓,且寫入時間也已有縮短。

由於EEPROM的優秀性能,以及在線上操作的便利,它被廣泛用於需要經常擦除的BIOS晶片以及快閃記憶體芯片,並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片,甚至取代部份的硬碟功能(見固态硬盘)。它與高速RAM成為當前(21世紀00年代)最常用且發展最快的兩種儲存技術。


歷史[编辑]

1978年,Intel公司的George Perlegos在EPROM技術的基礎上,改用薄的閘極氧化層,以便無需紫外光,晶片就可以用電氣方式抹除自身的位元,因而開發出型號為2816的16kbit EEPROM。Perlegos與一些同事後來離開Intel,創立 Seeq Technology 公司後,在晶片上內建電荷泵charge pump)以提供燒錄時自身所需的高電壓,因而推出只需5V電壓的EEPROM,利於實施線上燒錄(In-System Programming,ISP 或稱 In-Circuit Programming,ICP)。[1]

EEPROM 元件的類型[编辑]

有的 EEPROM 是包含於其他元件中,為該元件的一部份。 例如:MCU 中可能包含用來儲存程式或資料的 EEPROM、數位電位器(Digital Potentiometer)內也需要 EEPROM 來儲存目前的設定值。

單獨的 EEPROM 元件,其通信口通常可分為串行(serial)與并行(parallel)兩類。除電源線外,串行通信口只使用1~4隻接線來傳遞訊號,所需接腳較并行式少,通常用來儲存資料。執行用的程式則通常放在并行式的 EEPROM 中,以利存取。

序列式EEPROM[编辑]

  • Microwire 通信口(3線):型號為以 93 開頭的系列。例:93C46
  • I2CTM 通信口(2線):型號為以 24 開頭的系列。例:24LC02
  • SPI 通信口(3線):型號為以 25 開頭的系列。例:25LC08
  • UNI/OTM通信口(1線):由 Microchip 公司出品,型號為以 11 開頭的系列。
  • 1-Wire® 通信口(1線):由 Dallas / Maxim 公司出品。

並列式EEPROM[编辑]

型號通常為以 28 開頭的系列。

至於型號通常為以 29 或 49 開頭的系列,寫入須以較大的區塊為單位,此種記憶體一般會使用 Flash (閃存/快閃記憶體)來稱呼。至於能以較小單位(例如以位元組)擦除或寫入的則才以 EEPROM 稱呼,以作區別。

世界主要製造商[编辑]

注釋[编辑]

  1. ^ Rostky, George. Remembering the PROM knights of Intel. EE Times. July 3, 2002 [2010-04-21].